中国科学院微电子研究所张韬获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利片上螺旋磁芯电感器及其制作方法和批量化生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110577536.X，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权片上螺旋磁芯电感器及其制作方法和批量化生产方法是由张韬;王皓冉;彭崇梅;陈朝晖设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本片上螺旋磁芯电感器及其制作方法和批量化生产方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种片上螺旋磁芯电感器及其制作方法和批量化生产方法，所述制作方法包括：在第一衬底上形成沟槽结构；形成磁芯复合结构；将所述沟槽结构和所述磁芯复合结构进行电学互连。本发明方案通过在第一衬底上单独制备沟槽结构，然后再将与CMOS工艺不兼容的磁芯复合结构单独制备，最后通过可批量化生产的封装技术将第一衬底上的沟槽结构和磁芯复合结构对准进行电学互连。不仅解决了工艺兼容性问题，还实现了片上螺旋磁芯电感器的批量化生产，提高器件性能。
本发明授权片上螺旋磁芯电感器及其制作方法和批量化生产方法在权利要求书中公布了：1.一种片上螺旋磁芯电感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在第一衬底上形成沟槽结构； 形成磁芯复合结构； 将所述沟槽结构和所述磁芯复合结构进行电学互连； 其中，形成沟槽结构的方法包括： 提供所述第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面； 在所述第一表面形成图形化的阻挡层； 基于所述图形化的阻挡层，在所述第一表面内形成沟槽； 在所述沟槽底部、侧边以及部分所述阻挡层表面形成第一金属层； 在所述沟槽两侧的所述第一金属层表面形成接触点； 其中，所述磁芯复合结构包括：第二金属层以及设置于所述第二金属层表面的磁芯结构，所述磁芯结构为磁性材料层单层薄膜、或所述磁性材料层与隔离层多层交替复合薄膜；所述第一金属层与所述第二金属层电学互连，形成所述片上螺旋磁芯电感器。
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