星科金朋私人有限公司C·O·金获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉星科金朋私人有限公司申请的专利在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210256840.9，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法是由C·O·金;J·H·郑;J·W·李;Y·J·张设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法。通过提供包括屏蔽层的半导体封装以及使用激光在屏蔽层中形成槽，形成半导体器件。激光被开启并暴露于屏蔽层，其中，激光的中心设置在屏蔽层的第一点上。在激光保持在屏蔽层上并暴露于屏蔽层时，在环路中移动激光。当激光的中心设置在屏蔽层的第二点上时，停止激光到屏蔽层的暴露。第一点与第二点之间的距离近似等于激光的半径。
本发明授权在EMI屏蔽中形成具有改进的去除深度的槽的半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供包括屏蔽层的半导体封装；以及 通过以下步骤使用激光在所述屏蔽层中形成槽， 开启所述激光并使所述激光暴露于所述屏蔽层，其中，所述激光的光束的中心打在所述半导体封装的所述屏蔽层的第一点， 在所述激光保持在所述屏蔽层上并暴露于所述屏蔽层时，通过在从所述第一点起的第一方向上移动所述激光而在环路中移动所述激光， 当所述激光的光束的中心打在所述半导体封装的所述屏蔽层的第二点时停止所述激光到所述屏蔽层的暴露，其中，在从所述第一点起的与所述第一方向相对的第二方向上，所述第一点与所述第二点之间的距离近似等于所述激光的光束的半径， 当所述激光的光束的中心设置在屏蔽层的第三点上时，第一次停止激光到屏蔽层的暴露，其中，所述第一点和所述第三点之间的距离大于所述激光的光束的半径， 第二次使屏蔽层暴露于所述激光，以及 在第二次使屏蔽层暴露于所述激光时，使所述激光从第四点移动到所述第二点，其中，从所述第三点到所述第四点的距离近似等于所述激光的光束的半径， 其中，在环路中移动所述激光时激光的第一移动速率大于在将所述激光从所述第四点移动到所述第二点时激光的第二移动速率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人星科金朋私人有限公司，其通讯地址为：新加坡新加坡市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励