厦门市三安集成电路有限公司蔡文必获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115392171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111273846.9，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法是由蔡文必;张永明;魏鸿基;林义书设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法，包括：基于外部输入的栅极电压、漏极电势和源极电势，获得栅极沟道电压；基于栅极电荷密度、栅极根数、栅极长度和单根栅极的宽度，获得栅极电荷；基于漏极电势和源极电势，获得漏源电势差；基于所述栅极沟道电压、栅极电荷和漏源电势差，建立用于表征晶体管器件开启后电荷值与漏源电压相关性的电荷模型；对所述电荷模型的电荷值进行微分，建立用于表征栅源电容、栅源电压和漏源电压相关性的电容模型。本发明支持基于GaN工艺的HEMT晶体管的电荷电容描述，特别是沟道开启后栅源电容、栅源电压和漏源电压的关系描述，模型准确性高。
本发明授权基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立方法，其特征在于，包括： 基于外部输入的栅极电压、漏极电势和源极电势，获得栅极沟道电压； 基于栅极电荷密度、栅极根数、栅极长度和单根栅极的宽度，获得栅极电荷； 基于漏极电势和源极电势，获得漏源电势差； 基于所述栅极沟道电压、栅极电荷和漏源电势差，建立用于表征晶体管器件开启后电荷值与漏源电压相关性的电荷模型； 对所述电荷模型的电荷值进行微分，建立用于表征栅源电容、栅源电压和漏源电压相关性的电容模型； 基于所述栅极沟道电压、栅极电荷和漏源电势差，获得用于表征晶体管器件开启后电荷值与漏源电压相关性的电荷模型，具体如下： ； 其中，表示电荷模型的电荷值；表示栅极电荷；表示栅极沟道电压；表示漏源电势差；表示阈值电压；表示双曲正切函数；表示第一电荷系数；表示第二电荷系数；表示膝点漏源电压；表示对数函数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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