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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利具有温度依存性的半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776607.9，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权具有温度依存性的半导体存储器是由濑户川润设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有温度依存性的半导体存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有温度依存性的半导体存储器。半导体存储器包含存储器阵列、温度传感器电路以及泵电路。温度传感器电路用以提供温度依存信号。泵电路耦接至温度传感器电路及存储器阵列。泵电路用以根据温度依存信号将电荷泵输出电压输出至存储器阵列。电荷泵输出电压根据温度依存信号而决定。

本发明授权具有温度依存性的半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种具有温度依存性的半导体存储器，包括： 存储器阵列； 温度传感器电路，用以提供温度依存信号；以及 泵电路，耦接至所述温度传感器电路及所述存储器阵列，且用以根据所述温度依存信号将电荷泵输出电压输出至所述存储器阵列， 其中所述电荷泵输出电压根据所述温度依存信号而决定， 其中所述泵电路包括： 电压比较器电路，耦接至所述温度传感器电路，且用以接收参考电压及所述电荷泵输出电压；以及 电荷泵，耦接至所述电压比较器电路，其中所述电压比较器电路根据所述参考电压及对应于所述电荷泵输出电压的反馈电压将泵启动信号输出至所述电荷泵，且所述电荷泵根据所述泵启动信号输出所述电荷泵输出电压， 其中所述电压比较器电路包括： 第一电阻器，其中所述第一电阻器的第一端耦接至所述电荷泵输出电压，所述第一电阻器的第二端耦接至电路节点； 第二电阻器，其中所述第二电阻器的第一端耦接至所述电路节点，且所述第二电阻器的第二端耦接至接地电压；以及 第一比较器，其中所述第一比较器的第一输入端耦接至所述电路节点以接收所述反馈电压，所述第一比较器的第二输入端接收所述参考电压，且所述第一比较器的输出端输出所述泵启动信号， 其中所述参考电压或所述反馈电压根据所述温度依存信号而决定， 其中所述温度传感器电路包括： 温度传感器，用以输出逻辑信号；以及 电压选择器，耦接至所述温度传感器及所述第一比较器的所述第二输入端，且用以接收所述逻辑信号；以及 分压电阻器，耦接至所述电压选择器，且用以根据高电压电平及低电压电平产生多个分压电压， 其中所述电压选择器根据所述多个分压电压及所述逻辑信号产生所述参考电压作为提供至所述第一比较器的所述温度依存信号。

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