昕原半导体(上海)有限公司赵星贤获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115273933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210673630.X,技术领域涉及:G11C11/56;该发明授权利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符是由赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李设计研发完成,并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在说明书摘要公布了:公开了一种半导体装置,其包括多个双端电阻开关装置420,其中与电阻开关层324接触的电极322具有大于2nm的均方根表面粗糙度425、427,并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑0.1至0.1的范围内。半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据,以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
本发明授权利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在权利要求书中公布了:1.一种电子装置,包括: 多个电阻开关装置,所述多个电阻开关装置设置在半导体裸片的基板上,其中,所述多个电阻开关装置中的每个电阻开关装置包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层,其中,所述第一电极或所述第二电极中的一个包含响应于施加在所述第一电极与所述第二电极之间的外部刺激而在所述电阻开关材料层的材料中扩散的金属粒子,并且其中,所述多个电阻开关装置与在所述多个电阻开关装置中的电阻开关装置之间具有-0.1至0.1的范围内的相关系数的操作特征相关联; 第一多条导线,所述第一多条导线提供与所述多个电阻开关装置的顶电极的电连接; 第二多条导线,所述第二多条导线提供与所述多个电阻开关装置的底电极的电连接; 控制电路,所述控制电路用于划分所述多个电阻开关装置的子集,从而界定用于基于具有所述相关系数的所述操作特征产生数据序列的所述电阻开关装置的第一子集;以及 感测电路,所述感测电路至少部分地设置在半导体基板上,并通过所述第一多条导线和所述第二多条导线与所述多个电阻开关装置电连接,其中,所述感测电路被配置为选择性地将感测信号施加到所述第一多条导线中的第一导线和所述第二多条导线中的第二导线,以将所述感测信号施加到所述电阻开关装置的所述第一子集中的第一电阻开关装置,其中,所述感测电路被配置为响应于所述感测信号确定来自所述第一电阻开关装置的第一响应信号,并且其中,所述感测电路被配置为将所述感测信号选择性地施加到所述第一多条导线中的所述第一导线和所述第二多条导线中的第三导线,以将所述感测信号施加到所述电阻开关装置的所述第一子集中的第二电阻开关装置,其中,所述感测电路被配置为响应于所述感测信号确定来自所述第二电阻开关装置的第二响应信号。
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