株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社笼岛瑛二获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利用于制造开关器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210372989.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于制造开关器件的方法是由笼岛瑛二;岩桥洋平设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造开关器件的方法在说明书摘要公布了：一种用于制造开关器件10的方法，包括：在半导体衬底12的顶表面12a处形成沟槽22；形成用于覆盖沟槽内表面的栅极绝缘膜24；在沟槽内部形成栅电极26以将栅电极的顶表面定位在半导体衬底的顶表面下方；通过氧化栅电极的顶表面形成氧化膜40；通过气相生长在氧化膜的顶表面处形成层间绝缘膜28，以使层间绝缘膜的顶表面位于半导体衬底的顶表面下方；以及在半导体衬底的顶表面和沟槽的位于层间绝缘膜的顶表面上方的侧表面处形成与半导体衬底接触的上电极70。
本发明授权用于制造开关器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造开关器件的方法，所述方法包括： 在半导体衬底的顶表面处形成沟槽； 形成用于覆盖所述沟槽的内表面的栅极绝缘膜； 在所述沟槽的内部形成栅电极以将所述栅电极的顶表面定位在所述半导体衬底的所述顶表面下方； 通过氧化所述栅电极的所述顶表面而形成氧化膜； 在所述氧化膜的顶表面处通过气相生长形成层间绝缘膜，以使所述层间绝缘膜的顶表面位于所述半导体衬底的所述顶表面下方；以及 在所述半导体衬底的所述顶表面处和所述沟槽的位于所述层间绝缘膜的所述顶表面上方的侧表面处形成与所述半导体衬底接触的上电极， 其中所述半导体衬底由碳化硅制成， 其中，所述半导体衬底包括： n型导电的漂移区， p型导电的本体区，其设置在所述漂移区上方，以及 n型导电的源极区，其设置在所述本体区上方， 其中，在所述沟槽的形成过程中，所述沟槽被形成为穿透所述源极区和所述本体区并到达所述漂移区，以及 其中，在所述氧化膜的形成过程中，所述栅电极的所述顶表面被氧化以满足L2.7×A的数学关系， 其中L表示沿着所述沟槽的侧表面在所述氧化膜与所述本体区之间的距离，并且A表示当氧化所述栅电极时氧化物质扩散到所述栅极绝缘膜中的扩散长度。
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