美光科技公司王虹美获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利对存储器单元进行编程以存储数据的条件性漂移消除操作获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115148259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210265446.1,技术领域涉及:G11C16/10;该发明授权对存储器单元进行编程以存储数据的条件性漂移消除操作是由王虹美;崔铭栋;N·N·加杰拉设计研发完成,并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本对存储器单元进行编程以存储数据的条件性漂移消除操作在说明书摘要公布了:本申请案涉及对存储器单元进行编程以存储数据中的条件性漂移消除操作。一种存储器装置,其具有存储器单元、电压驱动器和控制器,所述控制器配置成基于存储器单元的属性而确定是否施加处于编程脉冲的相反极性中的漂移消除脉冲,所述编程脉冲配置成将所述存储器单元放置在表示数据位的状态中。如果将所述存储器单元的所述状态从用以将数据写入到所述存储器单元中的前一编程操作中的漂移预测为不足以在施加所述编程脉冲期间防止选择所述存储器单元,那么跳过所述漂移消除脉冲。否则,在所述编程脉冲的所述相反极性中施加所述漂移消除脉冲。
本发明授权对存储器单元进行编程以存储数据的条件性漂移消除操作在权利要求书中公布了:1.一种用于存储器操作的方法,其包括: 接收将数据位存储在存储器单元中的命令; 响应于所述命令且基于所述存储器单元的属性,决定在根据所述数据位识别的第一极性中将编程脉冲施加到所述存储器单元之前是否将漂移消除脉冲施加到所述存储器单元,其中所述漂移消除脉冲处于与所述第一极性相反的第二极性中;且 根据所述决定的结果而对所述存储器单元进行编程以存储所述数据位,其中所述编程包括: 响应于所述结果为第一选项而跳过所述漂移消除脉冲;或 响应于所述结果为第二选项而施加所述漂移消除脉冲。
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