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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210327018.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法是由汤晓燕;刘延聪;张玉明;陈利利;袁昊;宋庆文;陈泽宇;王溶设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发明将JTE区分割为多个SMJTE结构，能够将JTE区的单点的电场峰值分散至这些SMJTE结构，从而在降低电场峰值的同时，使功率器件具有更强的抗剂量偏移特性。

本发明授权一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构制备方法，其特征在于，包括： 提供一N+衬底； 在所述N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；所述外延结构包括：第一N-外延层、以及在所述第一N-外延层远离所述N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；其中，所述浮结p区位于有源区，所述JTE区位于终端区，且所述JTE区包括沿第一方向排列的多个SMJTE结构；所述第一方向为有源区指向终端区的方向； 在所述至少一层外延结构远离所述N+衬底的一侧表面生长第二N-外延层，并在所述第二N-外延层内制作表面终端； 在所述第二N-外延层远离所述衬底的一侧表面生长氧化层； 在所述第二N-外延层远离所述衬底的一侧表面制作第一电极，并在所述N+衬底远离所述外延结构的一侧表面制作第二电极，所述第一电极与所述氧化层相触； 在第一方向上，所述多个SMJTE结构在第一方向上的宽度逐渐减小、相邻两个SMJTE结构的间距逐渐增大，并且每个SMJTE结构自身的宽度及其与相邻SMJTE结构的间距之和需保持一致。

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