中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司张铉瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种在半导体器件中形成接触孔的方法、电容器制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011550450.X，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权一种在半导体器件中形成接触孔的方法、电容器制造方法是由张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在半导体器件中形成接触孔的方法、电容器制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种在半导体器件中形成接触孔的方法、电容器制造方法。在半导体器件中形成接触孔的方法可包括但不限于如下的至少一个步骤。提供半导体基底，在半导体基底上形成至少一个叠层。接着在整个叠层上形成具有接触孔图形的掩模层，基于具有接触孔图形的掩模层刻蚀叠层，以在叠层上形成接触孔。去除掩模层之前本公开在接触孔的内侧壁上形成保护膜，以保护接触孔的内侧壁。在去除掩模层的同时，去除上述形成的保护膜。本公开可在去除掩模层过程中保护接触孔内侧壁不受刻蚀用的等离子气体损伤，以有效地避免接触孔内弯曲变大。所以本公开能够明显提高半导体器件的良率，特别是提高半导体电容器的良率。
本发明授权一种在半导体器件中形成接触孔的方法、电容器制造方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体器件中形成接触孔的方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，在所述半导体基底上形成叠层； 在所述叠层上形成具有接触孔图形的掩模层； 基于所述具有接触孔图形的掩模层刻蚀所述叠层，以在所述叠层上形成接触孔； 在所述接触孔的内侧壁上形成保护膜；所述保护膜用于保护所述接触孔，使所述接触孔内侧的弯曲程度在去除所述掩模层过程中不再变大；所述保护膜的厚度小于所述掩模层的厚度； 去除所述掩模层的同时去除所述保护膜； 其中，所述在接触孔的内侧壁上形成保护膜包括： 执行灰化工艺，以利用所述灰化工艺产生的氧等离子体与接触孔内硅原子形成贴附于所述接触孔的内侧壁上的二氧化硅层，作为所述保护膜。
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