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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011547633.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵海;张进书设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，提供初始衬底，所述初始衬底表面包括相邻的阱区和漂移区，其中，以所述阱区和与所述漂移区朝向所述阱区的部分区域为鳍部区，以所述漂移区背离所述阱区的部分区域为平台区；在所述鳍部区内去除部分区域的部分厚度的初始衬底，形成衬底、鳍部和与所述鳍部邻接的平台，其中，以剩余厚度的初始衬底为衬底，以所述鳍部区内凸出于所述衬底的初始衬底为鳍部，以所述平台区内凸出于所述衬底的初始衬底为平台；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分漂移区和部分阱区；在所述阱区内形成源极，在所述漂移区内形成漏极。本发明实施例能够改善半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始衬底，所述初始衬底表面包括相邻的阱区和漂移区，其中，以所述阱区和与所述漂移区朝向所述阱区的部分区域为鳍部区，以所述漂移区背离所述阱区的部分区域为平台区； 在所述鳍部区内去除部分区域的部分厚度的初始衬底，形成衬底、鳍部和与所述鳍部邻接的平台，其中，以剩余厚度的初始衬底为衬底，以所述鳍部区内凸出于所述衬底的初始衬底为鳍部，以所述平台区内凸出于所述衬底的初始衬底为平台；所述平台与所述鳍部以及所述衬底通过对同一半导体材料层进行刻蚀所得到；所述平台用于分压； 形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分漂移区和部分阱区；所述栅极结构邻接所述平台，或者，所述栅极结构与所述平台的距离小于或等于10nm~200nm； 在所述栅极结构朝向所述平台一侧形成阻挡层，且所述阻挡层覆盖至少部分所述漂移区；所述阻挡层为金属化阻挡层，所述阻挡层用于避免漂移区内的掺杂离子向外扩散； 在所述阱区内形成源极，在所述漂移区内形成漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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