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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种IGZO晶体管和GaN HEMT栅控电路的集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111419995.1，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种IGZO晶体管和GaN HEMT栅控电路的集成结构及其制备方法是由李彦佐;陈兴;王东;吴勇;黄永;陈瑶;林长志;邱慧嫣;谢雨峰设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGZO晶体管和GaN HEMT栅控电路的集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGZO晶体管和GaNHEMT栅控电路的集成结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，上述集成结构分为两个部分，其中一个部分是GaNHEMT结构，另外一个部分是IGZO晶体管，上述两各部分均生长于衬底上，本发明基于GaNHEMT、IGZO晶体管和金刚石衬底生长的基础上，提出了一种在低压控制电路，将IGZO晶体管用于控制大功率GaNHEMT，并将它们集成在一个衬底上的集成栅控电路结构，GaNHEMT器件为大功率器件，如何散热保证其正常工作是一个研究的热点问题。金刚石材料导热性能良好，它引入作为衬底，能够较好地增强器件和电路的散热能力。

本发明授权一种IGZO晶体管和GaN HEMT栅控电路的集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGZO晶体管和GaNHEMT栅控电路的集成结构，其特征在于，上述集成结构具体分为两个部分，其中一个部分是GaNHEMT结构，另外一个部分是IGZO晶体管，上述两个部分均生长于衬底101上； GaNHEMT结构中从下至上依次设置有衬底101、AlGaN缓冲层102、GaN层103、AlN层104、Al0.2Ga0.8N层105、AlGaN层106、第一SiN层107、源漏电极108、Al2O3介质层109、GaNHEMT栅端110； IGZO晶体管中从下至上依次设置有衬底101、SiO2层111、ITO层112作为源端、漏端、栅端、Al2O3缓冲层113、IGZO基础层114、IGZOBoost层115、HfO2介质层116、IGZO晶体管栅端117； 上述两个部分制作完成后，在这两个部分之上，还设置有第二SiN层118、与源漏电极107连接的引出电极119、与GaNHEMT源漏引出电极119连接的外部金属线120、与GaNHEMT栅端110连接的第一引出金属线121、与ITO层112连接的第二引出金属线122、第三金属引出线123、分别与GaNHEMT栅端引出金属线121、与IGZO晶体管源漏引出金属线122连接的第一金属导线124和第二金属导线125。

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