三星电子株式会社尹敬和获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112053722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010063966.5，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权存储器装置是由尹敬和;金灿镐;郭判硕设计研发完成，并于2020-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，设置在第一半导体层中，存储器单元阵列包括沿第一方向延伸并沿基本垂直于第一方向的第二方向堆叠的多条字线；以及多个传输晶体管，设置在第一半导体层中，其中，所述多个传输晶体管中的第一传输晶体管设置在所述多条信号线中的第一信号线与所述多条字线中的第一字线之间，并且其中，所述多条信号线与共源极线布置在同一水平处。
本发明授权存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括： 存储器单元阵列，设置在第一半导体层中，存储器单元阵列包括沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的多条字线；以及 多个传输晶体管，设置在第一半导体层中，其中，所述多个传输晶体管中的第一传输晶体管设置在多条信号线中的第一信号线与所述多条字线中的第一字线之间， 其中，所述多条信号线与共源极线布置在同一水平处，并且 其中，存储器装置是非易失性存储器装置， 其中，所述存储器装置还包括栅极，所述栅极在所述多条信号线与所述多条字线之间沿第一方向延伸，其中，第一传输晶体管包括从第一信号线沿第二方向延伸穿过栅极的沟道， 其中，存储器单元阵列还包括多个沟道结构，所述多个沟道结构从共源极线沿第二方向延伸穿过地选择线，并且 其中，所述多个沟道结构中的第一沟道结构在地选择线与第一字线之间的区域具有第一宽度，第一传输晶体管的沟道在栅极与第一字线之间的区域具有第二宽度，第二宽度比第一宽度大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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