北京久好电子科技有限公司陈新凯获国家专利权
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龙图腾网获悉北京久好电子科技有限公司申请的专利片上电磁兼容EMC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192423U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520834586.5，技术领域涉及：H10W70/65；该实用新型片上电磁兼容EMC器件是由陈新凯;宁彦卿设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本片上电磁兼容EMC器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种片上电磁兼容EMC器件，包括：片上的第一金属层到第N金属层，其中，N为大于等于2的自然数，第一金属层至第N金属层中的每一个层中分别被配置有第一孔缝阵列至第N孔缝阵列，其中，第一孔缝阵列至第N孔缝阵列中的相邻孔缝阵列的开孔不相互重叠，在第一金属层到第N金属层的相邻金属层之间不相互电连接，并且所述第一孔缝阵列至第N孔缝阵列中的每个开孔被配置有与相对层连接的金属过孔，所述第一金属层至第N金属层中相互电连接的金属层的一端通过焊盘与外部电路连接，并且其另一端与芯片的内部电路连接。
本实用新型片上电磁兼容EMC器件在权利要求书中公布了：1.一种片上电磁兼容EMC器件，包括：片上的第一金属层到第N金属层，N为大于等于2的自然数，其特征在于： 第一金属层至第N金属层中的每一个层中分别被配置有第一孔缝阵列至第N孔缝阵列，第一孔缝阵列至第N孔缝阵列中的相邻孔缝阵列的开孔不相互重叠， 在第一金属层到第N金属层的相邻金属层之间不相互电连接，并且所述第一孔缝阵列至第N孔缝阵列中的每个开孔被配置有与相对层连接的金属过孔， 所述第一金属层至第N金属层中相互电连接的金属层的一端通过焊盘与外部电路连接，并且其另一端与芯片的内部电路连接。
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