无锡祥瑞微电子科技有限公司吴何获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡祥瑞微电子科技有限公司申请的专利一种电荷自平衡的沟槽型半导体功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192339U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520810426.7，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种电荷自平衡的沟槽型半导体功率器件是由吴何;周祥瑞;刘秀梅;杨正铭设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电荷自平衡的沟槽型半导体功率器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及沟槽型半导体功率器件的设计改进，具体为一种电荷自平衡的沟槽型半导体功率器件，解决有源区边缘靠近终端位置电场分布与元胞区的电场分布差异大，导致漏电或者可靠性风险的问题；包括有源区2和终端区，所述终端区围绕在有源区外围，所述有源区包括有源区沟槽若干，有源区沟槽的两端首尾相连且两端设置为圆弧状结构，有源区沟槽与终端区间设有过渡沟槽，有源区沟槽两端靠近终端区位置的过渡沟槽为圆弧状结构；通过有源区沟槽边缘靠近终端位置的过渡沟槽的圆弧形结构设计，使得有源区边缘靠近终端位置的击穿电压与元胞区保持一致，防止过夹断或者弱夹断，减少漏电和可靠性风险。
本实用新型一种电荷自平衡的沟槽型半导体功率器件在权利要求书中公布了：1.一种电荷自平衡的沟槽型半导体功率器，包括有源区2和终端区1，所述终端区1围绕在有源区2外围，其特征在于，所述有源区2包括有源区沟槽3若干，有源区沟槽3的两端首尾相连且两端设置为圆弧状结构，有源区沟槽3与终端区1间设有过渡沟槽4，有源区沟槽3两端靠近终端区1位置的过渡沟槽4为圆弧状结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡祥瑞微电子科技有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市新吴区清晏路32号A3-701；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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