厦门芯达茂微电子有限公司徐守一获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门芯达茂微电子有限公司申请的专利一种MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192336U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520847105.4，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种MOSFET器件是由徐守一;赖银坤;陈志鹏;蔡铭进设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体功率器件领域，特别涉及一种MOSFET器件，其包括衬底、N型漂移区、P型基区、N+源区、P+欧姆接触区和第二肖特基金属层，N型漂移区设置在衬底上，P型基区设置在N型漂移区上，N+源区设置在P型基区上，N型漂移区、P型基区和N+源区之间形成一沟槽，P+欧姆接触区设置在P型基区上，P+欧姆接触区连接N+源区，第二肖特基金属层位于N型漂移区内，且连接沟槽的侧壁和底部。借此，可有效降低栅极沟槽底部的电场强度，提高器件的可靠性。
本实用新型一种MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于：所述MOSFET器件包括： 衬底； N型漂移区，设置在所述衬底上； P型基区，设置在所述N型漂移区上； N+源区，设置在所述P型基区上，所述N型漂移区、所述P型基区和所述N+源区之间形成一沟槽； P+欧姆接触区，设置在所述P型基区上，所述P+欧姆接触区连接所述N+源区； 第二肖特基金属层，位于所述N型漂移区内，且连接所述沟槽的侧壁和底部。
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