厦门宏发电力电器有限公司代文广获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门宏发电力电器有限公司申请的专利磁路结构及继电器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224190898U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520687449.3，技术领域涉及：H01H50/18；该实用新型磁路结构及继电器是由代文广;罗泽宇;何仲波设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁路结构及继电器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电子控制器件技术领域，涉及一种磁路结构及继电器。该磁路结构包括：两块轭铁、衔铁和永磁体，至少一块所述轭铁在朝向另一块所述轭铁一侧设有凸苞，且所述凸苞在朝向另一块所述轭铁一侧具有端面；所述永磁体位于两块所述轭铁之间；且所述永磁体与一块所述轭铁上的凸苞的端面正相对设置，所述永磁体与另一块所述轭铁的表面接触设置，用以在所述端面、所述永磁体以及另一块所述轭铁之间形成导磁路径。该磁路结构可以减少结构件数目、简化装配步骤、降低装配难度，以及提升装配效率与装配良率。
本实用新型磁路结构及继电器在权利要求书中公布了：1.一种磁路结构，其特征在于，包括：两块轭铁、衔铁和永磁体，其中： 至少一块所述轭铁在朝向另一块所述轭铁一侧设有凸苞，且所述凸苞在朝向另一块所述轭铁一侧具有端面； 所述永磁体位于两块所述轭铁之间；且所述永磁体与一块所述轭铁上的凸苞的端面正相对设置，所述永磁体与另一块所述轭铁的表面接触设置，用以在所述端面、所述永磁体以及另一块所述轭铁之间形成导磁路径。
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