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龙图腾网获悉象朵创芯微电子(苏州)有限公司申请的专利一种电容芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224190811U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520816102.4，技术领域涉及：H01G4/30；该实用新型一种电容芯片结构是由袁园设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容芯片结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种电容芯片结构。该结构包括：玻璃衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一导电层、电容介质层和第二导电层，第二导电层位于电容介质层远离第一导电层的一侧；第二导电层的边界相对于第一导电层的边界向电容芯片结构的中心内缩；绝缘层，绝缘层位于第二导电层远离电容介质层的一侧；第一电气连接结构依次包括第一UBM层、第一铜锡合金层和第一锡层；第二电气连接结构依次包括第二UBM层、第二铜锡合金层和第二锡层；第一UBM层的厚度大于第一铜锡合金层的厚度且大于第一锡层的厚度；第二UBM层的厚度大于第二铜锡合金层的厚度且大于第二锡层的厚度。

本实用新型一种电容芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种电容芯片结构，其特征在于，包括： 玻璃衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面； 第一导电层，所述第一导电层位于所述玻璃衬底的第一表面； 电容介质层，所述电容介质层位于所述第一导电层远离所述玻璃衬底的一侧；所述电容介质层还覆盖所述第一导电层的侧壁，所述电容介质层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述电容介质层且露出所述第一导电层的部分表面； 第二导电层，所述第二导电层位于所述电容介质层远离所述第一导电层的一侧；所述第二导电层的边界相对于所述第一导电层的边界向所述电容芯片结构的中心内缩； 绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导电层远离所述电容介质层的一侧，所述绝缘层还覆盖所述第二导电层的侧壁、所述电容介质层远离所述第一导电层的一侧和所述电容介质层的侧壁以及所述第一通孔的侧壁；所述绝缘层设置有贯穿所述绝缘层的第二通孔和第三通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层的部分表面； 第一电气连接结构，依次包括第一UBM层、第一铜锡合金层和第一锡层；所述第一锡层包裹所述第一铜锡合金层，所述第一铜锡合金层包裹所述第一UBM层；所述第一UBM层的中心部分位于所述第二通孔内和所述第二导电层电连接，所述第一UBM层的边缘部分位于所述绝缘层远离所述玻璃衬底的表面； 第二电气连接结构，依次包括第二UBM层、第二铜锡合金层和第二锡层；所述第二锡层包裹所述第二铜锡合金层，所述第二铜锡合金层包裹所述第二UBM层；所述第二UBM层的中心部分位于所述第三通孔且穿过所述第一通孔和所述第一导电层电连接，所述第二UBM层的边缘部分位于所述绝缘层远离所述玻璃衬底的表面； 所述第一UBM层的厚度大于所述第一铜锡合金层的厚度，所述第一UBM层的厚度大于所述第一锡层的厚度； 所述第二UBM层的厚度大于所述第二铜锡合金层的厚度，所述第二UBM层的厚度大于所述第二锡层的厚度。

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