天津中科晶禾电子科技有限责任公司母凤文获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610098950.5，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置是由母凤文;高智伟;郭超;刘福超设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造技术领域，本申请提供了一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置，该制备方法包括在待键合的第一材料和或第二材料上形成第三材料，然后在依次进行特定的冷冻活化处理、升温恢复处理以及激活处理之后，将第一材料与第二材料通过第三材料进行键合，得到键合结构。通过单独形成的第三材料进行键合，有利于使第三材料获得较小的厚度，即形成薄层；通过冷冻活化处理、升温恢复处理以及激活处理的配合可以减小对第三材料损伤的同时使其获得充分的界面键合能力，由此，可以支持所述制备方法用于制备具有薄绝缘隔离层且无漏电的绝缘体上硅结构。
本发明授权一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置在权利要求书中公布了：1.一种键合结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供待键合的第一材料与第二材料；所述第一材料和或所述第二材料的待键合表面上设置有第三材料；所述第一材料以及所述第二材料均包括硅；所述第三材料包括绝缘材料； 对所述第一材料以及所述第二材料的待键合表面一侧进行活化处理，所述活化处理包括等离子体活化处理，使待键合表面具有亲水性的悬挂键或悬挂基团；其中，设置有所述第三材料的第一材料和或第二材料进行活化处理的温度小于等于0℃； 使所述第一材料以及所述第二材料的温度高于环境露点温度并保持，对所述第一材料以及所述第二材料的待键合表面一侧进行激活处理；所述激活处理的方法包括使用含亲水性分子的处理液进行湿处理后干燥，使具有悬挂键或悬挂基团的待键合表面吸附亲水性分子； 然后执行键合处理，得到键合结构，所述键合结构为绝缘体上硅。
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