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龙图腾网获悉上海奥简微电子科技有限公司申请的专利一种低静态电流启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121584997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610100945.3，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权一种低静态电流启动电路是由陶志平设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低静态电流启动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低静态电流启动电路，包括：串联于电源与地之间的第二电阻、第一晶体管和第一电阻，第一晶体管的栅极连接至使能电压，还包括用于将启动电路的静态电流维持在设定的低电流的保持电路，包括第二晶体管和第三晶体管作为控制元件，被配置为与第三电阻、第四电阻和第五电阻配合形成对第一晶体管的栅极的负反馈回路，以抵消使能电压的变化对第一晶体管的栅极的电压影响并稳定第一晶体管的栅极的电压。本发明提供了一种低静态电流启动电路，通过引入保持电路形成负反馈回路，抵消使能电压变化对第一晶体管栅极电压的影响，从而稳定静态电流，具有在使能电压变化时能够维持静态电流在低水平，实现稳定低功耗工作的优点。

本发明授权一种低静态电流启动电路在权利要求书中公布了：1.一种低静态电流启动电路，包括：串联于电源VCC与地之间的第二电阻R2、第一晶体管M1和第一电阻R1，所述第一晶体管M1的漏极引出启动电路的输出电压OUT，所述第一晶体管M1的栅极连接至使能电压EN，其特征在于， 还包括用于将启动电路的静态电流维持在设定的低电流的保持电路，被配置为，使得第一晶体管M1的栅极的电压不再跟随使能电压EN的升高而升高，所述保持电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第二晶体管M2和第三晶体管M3，所述第三电阻R3和第二晶体管M2用于检测启动电路的输出电压OUT，所述第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5用于构成电流通路以及电压分压网络，所述使能电压EN串联所述第五电阻R5后连接于所述第一晶体管M1的栅极，所述第二晶体管M2和第三晶体管M3作为控制元件，被配置为与所述第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5配合形成对所述第一晶体管M1的栅极的负反馈回路，以抵消所述使能电压EN的变化对所述第一晶体管M1的栅极的电压影响并稳定所述第一晶体管M1的栅极的电压； 所述第三电阻R3的第一端连接至电源VCC，并且所述第三电阻R3的第二端与所述第二晶体管M2的源极连接，所述第二晶体管M2的栅极连接至输出电压OUT，所述第二晶体管M2的漏极串联所述第四电阻R4，并且所述第二晶体管M2的漏极与所述第三晶体管M3的栅极连接，所述第三晶体管M3的源极连接所述第四电阻R4的一端，所述第五电阻R5的第一端连接所述使能电压EN，所述第五电阻R5的第二端和所述第三晶体管M3的漏极连接至所述第一晶体管M1的栅极。

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