成都锐成芯微科技股份有限公司王宇龙获国家专利权
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龙图腾网获悉成都锐成芯微科技股份有限公司申请的专利多次可擦除可编程存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610007975.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权多次可擦除可编程存储器的制备方法是由王宇龙;杨震;许谢慧娜;陈精纬;马健译;沈安星;向建军设计研发完成，并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本多次可擦除可编程存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多次可擦除可编程存储器的制备方法，所述存储器的存储单元包含一个实施编程和擦除的晶体管，该方法包括如下步骤：在形成衬底表面上的有源区和隔离区之后、和形成所述晶体管的栅氧层之前，有源区上覆盖有一层牺牲氧化层，使用一个光罩露出有源区内所述晶体管的区域，刻蚀除去该晶体管区域内有源区上的牺牲氧化层；然后除去光罩，刻蚀整个衬底表面，除去其余区域的牺牲氧化层。本发明的方法既能缩小存储单元尺寸，又能保持其优良性能。
本发明授权多次可擦除可编程存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多次可擦除可编程存储器的制备方法，所述存储器包括至少一个存储单元，形成于一个衬底表面上的有源区内，所述存储单元包含一个晶体管，实施编程和擦除，该晶体管包含位于衬底表面上的栅氧层；所述衬底表面上有隔离区，与有源区相邻排布； 其特征在于，该方法包括如下步骤： 在形成衬底表面上的有源区和隔离区之后、和形成所述晶体管的栅氧层之前，有源区上覆盖有一层牺牲氧化层，使用一个光罩露出所述晶体管区域，刻蚀除去该区域内的有源区上的牺牲氧化层；然后除去光罩，刻蚀整个衬底表面，除去其余区域的牺牲氧化层，同时所述晶体管区域再次被刻蚀。
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