内蒙古科技大学赵烨获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古科技大学申请的专利用于X8R型陶瓷电容器的铌酸银基陶瓷材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121470954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610014755.X，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权用于X8R型陶瓷电容器的铌酸银基陶瓷材料及制备方法是由赵烨;郭乐;卢春晓;张利文;李雍;郝喜红设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于X8R型陶瓷电容器的铌酸银基陶瓷材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及介电陶瓷技术领域，尤其涉及一种用于X8R型陶瓷电容器的铌酸银基陶瓷材料及制备方法。所述铌酸银基陶瓷材料的化学式为Ag0.82Bi0.06Nb0.996‑xHf0.005TaxO3,0.15≤x≤0.3。本发明优选铌酸银基陶瓷材料的化学式为Ag0.82Bi0.06Nb0.996‑xHf0.005TaxO3，且0.15≤x≤0.3，并对铌酸银基陶瓷材料的制备工艺进行优化，所得铌酸银基陶瓷材料的有效储能密度最高可达10.21Jcm3，储能效率最高可达83.61%，且在‑55~150℃温度范围内的电容变化率的绝对值≤15%，综合性能好，能够满足X8R型陶瓷电容的使用需求。
本发明授权用于X8R型陶瓷电容器的铌酸银基陶瓷材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于X8R型陶瓷电容器的铌酸银基陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸银基陶瓷材料的化学式为Ag0.82Bi0.06Nb0.996-xHf0.005TaxO3，0.15≤x≤0.3； 所述铌酸银基陶瓷材料的有效储能密度为7Jcm3以上，储能效率为70%以上； 以25℃的电容值为基准，所述铌酸银基陶瓷材料在-55~150℃温度范围内的电容变化率的绝对值≤15%。
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