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龙图腾网获悉上海芯源创新中心申请的专利一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511924322.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型是由唐震宙;曹玮麟;李瑞雪;郑伟;杜佳乐;孙博设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型在说明书摘要公布了：本发明提供一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型，通过控制氧化铪基薄膜层中Zr掺杂的浓度以调控氧空位的浓度，有效调节氧空位的迁移速率，当施加外加电场后，氧离子在强电场作用下向顶电极界面迁移，留下带正电的氧空位，从而在氧化铪基薄膜层中形成由氧空位组成的导电细丝，使忆阻器处于低阻态，反向电场又会驱动氧离子与氧空位重新结合，使得导电细丝的尖端发生局部断裂，从而与顶电极产生间隙，使忆阻器恢复至高阻态，使忆阻器具备高度可控的阻变行为，忆阻器仿真模型基于忆阻器导电细丝生成的机理，建立导电细丝的动态演化方程，描述了忆阻器两端的电压差与流过忆阻器的电流的关系，为器件设计与电路优化提供了可靠的理论工具和预测能力。

本发明授权一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器仿真模型，其特征在于，基于忆阻器的制备方法制备出忆阻器，所述制备方法为提供一衬底并对所述衬底进行预处理，于所述衬底上形成底电极，所述底电极的厚度为20~200nm；于所述底电极上形成第一功能层，所述第一功能层为Zr掺杂的氧化铪基薄膜层，所述氧化铪基薄膜层的厚度为1~20nm；于所述第一功能层上形成第二功能层，所述第二功能层为氧化铝薄膜层，所述氧化铝薄膜层的厚度为0.1~4nm；于所述第二功能层上形成顶电极，所述顶电极的厚度为20~200nm，对制备的所述忆阻器施加直流电场，使得所述忆阻器具备高阻态与低阻态切换的特性，其中，所述直流电场的电压振幅为0.5~20V；时间为1s~100h或对所述忆阻器施加脉冲电场，使得所述忆阻器具备高阻态与低阻态切换的特性，其中，所述脉冲电场的电压振幅为0.5~20V，频率为1Hz~100MHz，所述脉冲电场的波形包括三角波、正弦波和方波中的任意一种，并基于所述忆阻器建立忆阻器仿真模型，所述忆阻器仿真模型通过描述导电细丝尖端与顶电极之间间距的动态变化来表征所述忆阻器的阻态： 导电细丝尖端与所述顶电极的间距演化方程为： ； 其中，表示为导电细丝尖端与所述顶电极的间距，q表示为电子所带的负电荷量，k表示为玻尔兹曼常数，T表示为所述忆阻器所在的环境温度，EA表示为Zr掺杂的氧化铪基薄膜层的激活能，表示为Zr掺杂的氧化铪基薄膜层的原子间距，表示为Zr掺杂的氧化铪基薄膜层的厚度； ； ； ； ； 其中，表示为描述导电细丝尖端与所述顶电极的间距的波动性的拟合参数，表示为波动平滑参数，表示为阈值温度，当超过该阈值温度时，导电细丝尖端与所述顶电极的间距会发生显著变化，表示为热电阻，其大小由所述忆阻器和测试环境共同决定，表示为每个时间步长随机生成的均方根为1，均值为零的高斯噪声序列； 所述忆阻器仿真模型的电流-电压曲线特性遵循方程： ； 其中，I表示为流过所述忆阻器的电流，V表示为所述忆阻器两端的电压差，均为拟合参数，用于表征所述忆阻器阻态转换时的中间态特征。

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