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龙图腾网获悉成都锐成芯微科技股份有限公司申请的专利嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121354635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511902084.2，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法是由沈安星设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法，该闪存包括：存储阵列区和外围逻辑区，存储阵列区包含至少一个存储单元，该存储单元包含：一对叠置栅极和一对选择晶体管，叠置栅极包括：浮栅栅氧层、浮栅、介电层、和控制栅极；所述外围逻辑区包括高压和低压的逻辑区，高压或低压的逻辑区包含至少一个标准逻辑晶体管，它包括：逻辑栅氧层和逻辑栅极；所述闪存的存储器件阈值电压的调整方法包括两次全域离子注入，首次全域离子注入在形成浮栅栅氧层之前实施，注入离子的剂量是：能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值；再次全域离子注入在形成浮栅之后、和逻辑栅氧层之前实施；两次注入离子的电类型相反但注入剂量相同。

本发明授权嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法，所述嵌入式闪存包括：存储阵列区和外围逻辑区，所述存储阵列区中包含至少一个存储单元，所述存储单元包含：两个相邻并置的叠置栅极、和两个选择晶体管，两个选择晶体管分别位于相邻并置的叠置栅极的两侧；每个叠置栅极自下向上依序包括：浮栅栅氧层、浮栅、介电层、和控制栅极；每个选择晶体管自下向上依序包括：选择栅栅氧层、选择栅下部分、和选择栅上部分；所述外围逻辑区包括高压和低压的逻辑区，高压或低压的逻辑区内包含至少一个标准逻辑晶体管，所述标准逻辑晶体管自下向上依序包括：逻辑栅氧层和逻辑栅极； 所述嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法，其特征在于： 它包括如下步骤： a．首次全域离子注入：在形成浮栅栅氧层和逻辑栅氧层之前，向存储阵列区和外围逻辑区，同时实施首次全域离子注入，注入离子的电类型与所述存储单元的器件相反，注入离子的剂量是：能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值； b．再次全域离子注入：在形成浮栅和选择栅下部分之后、以及形成逻辑栅氧层之前，向存储阵列区和外围逻辑区上，同时实施再次全域离子注入，注入离子的电类型与首次注入的离子相反，注入剂量与首次注入的相同。

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