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龙图腾网获悉如东汇盛通半导体科技有限公司申请的专利一种半导体晶圆切割设备及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121290633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511536591.9，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种半导体晶圆切割设备及其方法是由丁桃宝设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体晶圆切割设备及其方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体晶圆切割设备及其方法，涉及晶圆切割技术领域，该半导体晶圆切割设备，包括保护壳体，所述保护壳体的内部设置有晶棒支撑组件以及切割组件，晶棒支撑组件位于切割组件的上方，所述保护壳体内还设置有削切液供液装置，所述削切液供液装置用于向晶棒切割部位进行供液，所述削切液供液装置安装在晶棒支撑组件和切割组件之间，所述切割组件上设置有钻石固化机构，所述钻石固化机构用于向金刚石钢线上补充钻石颗粒以及对钻石颗粒进行固化，钻石颗粒浆料内填充有通过紫外光照后快速固化的材料，所以钻石颗粒浆料通过光固化灯照射，可以快速固化，尽量防止削切液将钻石颗粒冲掉。

本发明授权一种半导体晶圆切割设备及其方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆切割设备，包括保护壳体，所述保护壳体的内部设置有晶棒支撑组件以及切割组件，晶棒支撑组件位于切割组件的上方，其特征在于：所述保护壳体内还设置有削切液供液装置，所述削切液供液装置用于向晶棒切割部位进行供液，所述削切液供液装置安装在晶棒支撑组件和切割组件之间，所述切割组件上设置有钻石固化机构； 所述钻石固化机构包括包覆在上层金刚石线外侧的矩形盒体，所述矩形盒体包括上料区域和固化区域，所述矩形盒体位于上料区域侧面均匀开设有穿线孔，所述穿线孔为倾斜孔，且穿线孔靠近晶棒的一端孔距大于另一端的孔距，所述上料区域位于穿线孔的上方设置有存储仓，所述存储仓内填充有钻石颗粒浆料；钻石颗粒浆料的配制工艺如下： 步骤一：按比例量取所需量的预聚物、活性稀释剂和光引发剂倒入混料桶中，然后进行充分搅拌； 步骤二：取所需的钻石颗粒加入混料桶中，充分混入到预聚物、活性稀释剂和光引发剂中； 步骤三：充分搅拌混合36h，以确保钻石颗粒在预聚物、活性稀释剂和光引发剂中分散均匀，保证后续切割质量； 步骤四：将混合好的钻石颗粒浆料倒入存储仓内，可以向金刚石线补充钻石颗粒； 所述存储仓与穿线孔之间贯穿设置有供料通道； 所述供料通道内设置有下压控制机构，下压控制机构包括滑动设置在供料通道内的插管，所述供料通道的上方通过支撑杆连接有塞帽，所述塞帽与插管的上端相互匹配，所述插管的下端连通有供料环，所述供料环的内圈开设有一圈出料孔，所述金刚石线穿过供料环，所述固化区域的一圈安装有光固化灯，所述光固化灯用于对金刚石线上的钻石颗粒浆料进行固化处理； 所述晶棒支撑组件包括安装在保护壳体内顶部的升降组件，所述升降组件用于控制晶棒支撑组件的升降，所述晶棒支撑组件还包括安装座，所述安装座的上方中部开设置有安装槽，且在安装座的四周滑动设置有四组导柱，四组所述导柱的上端安装在保护壳体内顶部； 所述升降组件包括安装在保护壳体顶部的液压缸，所述液压缸的下端伸缩端安装在安装座上方的安装槽内； 所述安装座的下方开设有限位滑槽，所述限位滑槽内滑动设置有鸠尾座，所述鸠尾座包括呈T形设置的金属座，所述金属座限位滑动安装在限位滑槽内，所述金属座的两侧通过限位块限位，所述金属座的下方开设有用于固定晶棒的固定槽，所述金属座的侧面螺纹连接有螺纹丝杆，所述螺纹丝杆的一端连接有夹紧块，所述螺纹丝杆的另一端设置有旋转把手； 所述切割组件包括两组平行设置的罗拉，且罗拉上均匀开设有线槽，所述罗拉的两侧设置有收线轮和放线轮，所述收线轮和放线轮以及罗拉的线槽缠绕有金刚石线。

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