广东仁懋电子有限公司仇亮获国家专利权
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龙图腾网获悉广东仁懋电子有限公司申请的专利一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120928151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511406645.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统是由仇亮;窦静设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统，涉及半导体测试领域，从动态响应数据中分离出非线性扰动分量；基于非线性扰动分量构建链路传输补偿函数，通过链路传输补偿函数和动态响应数据确定动态特性参数；对动态特性参数进行多维频谱解析，得到高频性能参数，进而依据高频性能参数对碳化硅芯片进行热能效推导，得到能效趋势和能效热耦合特征；偏离异常值对碳化硅芯片进行多工况脉冲激励，得到多维补偿矩阵；基于多维补偿矩阵对能效趋势和能效热耦合特征进行自适应耦合补偿，进而得到碳化硅芯片的性能评估数据集，本申请可实现基于异常值驱动的多维自适应耦合补偿，以提高碳化硅芯片性能评估的可信度。
本发明授权一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅芯片的性能评估方法，其特征在于，所述性能评估方法包括如下步骤： 采集碳化硅芯片在稳定工况下的动态响应数据，并从所述动态响应数据中分离出非线性扰动分量； 基于所述非线性扰动分量构建链路传输补偿函数，通过所述链路传输补偿函数和所述动态响应数据确定动态特性参数； 对所述动态特性参数进行多维频谱解析，得到高频性能参数，进而依据所述高频性能参数对碳化硅芯片进行热能效推导，得到不同功率下的能效趋势和能效热耦合特征； 采集碳化硅芯片在电磁干扰过程中的偏离异常值，根据所述偏离异常值对碳化硅芯片进行多工况脉冲激励，得到多维补偿矩阵； 基于所述多维补偿矩阵对不同功率下的能效趋势和能效热耦合特征进行自适应耦合补偿，进而得到碳化硅芯片的性能评估数据集。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东仁懋电子有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市罗湖区桂园街道鹿丹村社区滨河路1011号鹿丹大厦1901；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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