华芯程(杭州)科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利掩膜图案生成方法、装置、存储介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120871522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511115120.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩膜图案生成方法、装置、存储介质及电子设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜图案生成方法、装置、存储介质及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种掩膜图案生成方法、装置、存储介质及电子设备，其中，该掩膜图案生成方法包括构建光学系统的频域成像内核，并获取原始设计图案；根据频域成像内核和原始设计图案，计算得到光学系统下的目标掩膜频谱分布图；基于原始设计图案，利用第一LevelSet函数优化得到匹配目标掩膜频谱分布图的目标二值化掩膜图案；对目标二值化掩膜图案进行轮廓提取，得到曲线图案；对曲线图案进行Manhattan化处理，生成目标掩膜图案。本方案可以提高掩膜图案的频域匹配精度。
本发明授权掩膜图案生成方法、装置、存储介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种掩膜图案生成方法，其特征在于，包括： 获取原始设计图案；并基于光学系统构建频域成像内核，具体为： 其中，为图像曝光强度，即光学系统的频域成像内核；为成像位置；为第个光学成像核函数在频域的展开形式；为对应的权重；为掩膜频谱分布图；为光学成像核函数总数；为逆傅里叶变换算符； 将所述频域成像内核代入sigmoid函数，得到晶圆表面的光刻胶图像，具体为：；其中，为晶圆表面的光刻胶图像，为光学系统的频域成像内核，为控制参数，用于决定光刻胶中的曝光强度； 以所述原始设计图案为目标，基于所述光刻胶图像构建第一代价函数； 采用牛顿法对所述第一代价函数进行迭代求解，得到所述光学系统下的目标掩膜频谱分布图； 基于所述原始设计图案，利用第一LevelSet函数优化得到匹配所述目标掩膜频谱分布图的目标二值化掩膜图案； 对所述目标二值化掩膜图案进行轮廓提取，得到曲线图案； 对所述曲线图案进行Manhattan化处理，生成目标掩膜图案。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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