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龙图腾网获悉苏州苏纳光电有限公司申请的专利晶圆上芯片的布局方法、布局装置及硅电容器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120671623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510696595.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权晶圆上芯片的布局方法、布局装置及硅电容器的制备方法是由张千一;侯聿曦;金山设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆上芯片的布局方法、布局装置及硅电容器的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶圆上芯片的布局方法、布局装置及硅电容器的制备方法，布局方法中，以晶圆的圆心为原点建立XY二维直角坐标系，在坐标系的四个晶圆区域内分别设置曝光区域，针对每个曝光区域，各个芯片按照尺寸由大到小，在曝光区域上的位置按照中心、边缘四角、边线和余下空位的顺序进行排布；且各个芯片以所述曝光区域的中心对称排列。本申请通过优化曝光区域划分和芯片排布规则，不仅实现了晶圆中心区域的优化利用，还增强了曝光区域中心与四角的结构强度，显著提高了晶圆的结构强度，有效降低了后续制程中晶圆翘曲的风险。

本发明授权晶圆上芯片的布局方法、布局装置及硅电容器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： A1、根据晶圆上芯片的布局方法获取芯片的版图设计； A2、对待处理晶圆依次进行清洗、生长氧化层、涂覆光刻胶、根据版图设计曝光、显影； A3、将经步骤A2处理之后的两片晶圆的背面临时键合在一起； A4、根据版图设计分别在两片晶圆上表面刻蚀深槽，以便于隔离芯片； A5、分别在两片晶圆上表面沉积多晶硅，并通过光刻、刻蚀形成多个电极结构，在多个电极结构之间沉积绝缘介质，退火处理； A6、在步骤A5的基础上，再分别在两片晶圆上表面沉积钝化层和种子层，并合金化处理； A7、对经步骤A6之后的两片晶圆进行解键合； A8、最后再在晶圆表面布置线路、完成钝化、引出电信号； 所述晶圆上芯片的布局方法，包括如下步骤： S1、获取布局计划信息，所述布局计划信息包括晶圆规格数据和芯片规格数据，所述芯片规格数据包括多个芯片的尺寸； S2、根据晶圆规格数据，以晶圆的圆心为原点建立XY二维直角坐标系；在坐标系的四个晶圆区域内分别设置曝光区域； S3、针对每个曝光区域，根据芯片布局规则进行芯片的排布，完成晶圆上芯片的布局； 其中，所述芯片布局规则指： 各个芯片按照尺寸由大到小，在曝光区域上的位置按照中心、边缘四角、边线和余下空位的顺序进行排布； 且各个芯片以所述曝光区域的中心对称排列。

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