华南师范大学;广州群创电气设备技术有限公司郭健平获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学;广州群创电气设备技术有限公司申请的专利一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120559768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510992134.4，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法是由郭健平;唐国皓;黄锴;詹浩彬;黄群山设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法，涉及超材料光学吸收器件技术领域；所述双向吸收器件为金属‑介质‑金属‑介质‑金属‑介质的六层结构，其器件单元自下而上依次为银金属层、液晶介质层、银金属层、液晶介质层、铬金属层和氮化硅圆环；所述双向光吸收器件能够在0.6‑1.6μm的波长范围内对顶部入射平面光实现宽带吸收，对底部入射的平面光实现窄带吸收。通过改变所述液晶介质层中的液晶分子偏向角可调控器件对顶部或底部入射光的吸收率大小与吸收带宽范围，实现可调谐性。本发明能够实现器件在多重目标约束下的结构参数优化设计。
本发明授权一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调谐的双向超材料光吸收器件，其特征在于，包含金属-介质-金属-介质-金属-介质的六层单元堆叠结构，所述单元从底层至顶层依次设置有： 位于第一层的银金属层10、位于第二层的液晶介质层20、位于第三层的银金属层30、位于第四层的液晶介质层40、位于第五层的铬金属层50和位于第六层的氮化硅圆环60； 全部所述银金属层、全部所述液晶介质层、所述铬金属层与所述氮化硅圆环周期相同；第二层的液晶介质层20与第四层的液晶介质层40中的液晶分子偏向角可改变，其液晶分子偏向角取值范围为0-90°，通过改变第二层的液晶介质层20与第四层的液晶介质层40中的液晶分子偏向角可分别调控器件对底部或顶部入射平面光的吸收率与吸收带宽范围，实现双向超材料光吸收器件的可调谐特性。
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