成都理工大学王亮获国家专利权
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龙图腾网获悉成都理工大学申请的专利一种针对储层电阻率的灰质影响校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120447071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510488236.2，技术领域涉及：G01V3/38；该发明授权一种针对储层电阻率的灰质影响校正方法是由王亮;庄文;刘瑜超;赵梓凌;艾懿卓设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对储层电阻率的灰质影响校正方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种针对储层电阻率的灰质影响校正方法，包括利用岩心分析灰质含量与电阻率的交会图版确定灰质对电阻率的影响阈值，并获取连续的灰质含量与孔隙度曲线；基于阿尔奇公式推导电阻率的灰质影响校正公式；分别建立水层、油和或气水层以及油和或气层的电阻率的灰质影响校正因子的计算模型；区分水层、油和或气水层以及油和或气层建立电阻率灰质影响校正模型。本发明提出了考虑地层水电阻率与流体性质的电阻率的灰质影响校正方法。
本发明授权一种针对储层电阻率的灰质影响校正方法在权利要求书中公布了：1.一种针对储层电阻率的灰质影响校正方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.利用岩心分析灰质含量与电阻率的交会图版确定灰质对电阻率的影响阈值，并获取连续的灰质含量与孔隙度曲线； S2.基于阿尔奇公式推导电阻率的灰质影响校正公式； S3.分别建立水层、油和或气水层以及油和或气层的电阻率的灰质影响校正因子的计算模型； S4.区分水层、油和或气水层以及油和或气层建立电阻率灰质影响校正模型； 步骤S4中，基于S2得到的电阻率的灰质影响校正公式与S3得到的油和或气层、油和或气水层与水层的电阻率校正因子K与灰质含量的关系，建立电阻率的灰质影响校正模型： 水层：18 油和或气水层：19 油和或气层：20 式中，—校正灰质影响后的电阻率，Ω.m；——地层水电阻率，Ω.m；—电阻率测井值，Ω.m；—灰质含量，小数;—待定系数，无量纲。
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