全磊光电股份有限公司杨玲芳获国家专利权
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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种P-SCH层、CW激光器外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510588495.2，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种P-SCH层、CW激光器外延结构及其制备方法是由杨玲芳;单智发;张永;李洪雨;陈阳华设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P-SCH层、CW激光器外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种P‑SCH层、CW激光器外延结构及其制备方法，属于半导体领域。本发明提供了一种P‑SCH层，为多层结构，所述多层结构层数为2n，所述n≥2，从第1层到第2n层，发射波长递增；所述第n+1层的发射波长和第n层的发射波长之差为100～120nm，其余相邻层之间的发射波长之差为10～20nm。本发明层间两端发射波长跨度小，中间跨度大的阶梯式结构，在很大程度上保证了电子泄露率和空穴注入率，从而控制光子密度随电流注入的增大速率，提高了器件温度稳定性。
本发明授权一种P-SCH层、CW激光器外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P-SCH层，其特征在于，为多层结构，所述多层结构层数为2n，所述n≥2，从第1层到第2n层，发射波长递增； 其中，第n+1层的发射波长和第n层的发射波长之差为100~120nm，其余相邻层之间的发射波长之差为10~20nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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