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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京邮电大学申请的专利一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119827878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510046981.1，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统是由原义栋;王文佳;张田梦;卓越;赵天挺;高锦春;吴文欢;苗清设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统在说明书摘要公布了：本公开涉及电磁兼容测试与评估技术领域，具体涉及一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统。所述方法包括：将变压器的第一电磁场模型转换为等效电路模型，并获取仿真寄生电参数；比对测量寄生电参数和仿真寄生电参数来调整等效电路模型；将调整好的等效电路模型的共模电流作为激励信号输入PCB评估板的第二电磁场模型，获得集成隔离芯片的电磁辐射强度仿真结果，其中，共模电流被确定为集成隔离芯片的主要辐射源；比对电磁辐射强度仿真结果和电磁辐射强度测量结果来调整第二电磁场模型，获得集成隔离芯片的电磁辐射强度预测模型。本公开能准确预测隔离芯片的辐射强度，减少了多轮打样和测试的必要性，提高了芯片设计时的可靠性和稳定性。

本发明授权一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法，其特征在于，所述集成隔离芯片包括变压器，所述变压器为高频变压器，所述方法包括： 建立所述变压器的第一电磁场模型； 将所述第一电磁场模型转换为等效电路模型，包括：获取所述变压器的尺寸参数和材料参数，根据所述变压器的尺寸参数和材料参数建立所述变压器的第一电磁场模型； 根据所述等效电路模型获取所述变压器的仿真寄生电参数； 获取所述变压器的测量寄生电参数，比对所述测量寄生电参数和所述仿真寄生电参数获得第一比对结果，基于根据所述第一比对结果和预设仿测误差阈值所确定的调整方案调整所述等效电路模型，获得调整好的等效电路模型； 建立集成隔离芯片PCB评估板的第二电磁场模型，包括：根据所述集成隔离芯片的外围电路的尺寸参数和材料参数建立所述集成隔离芯片PCB评估板的第二电磁场模型；将所述调整好的等效电路模型中由所述变压器的初级线圈和次级线圈之间的寄生电容耦合所产生的共模电流作为激励信号输入所述第二电磁场模型，并在所述第二电磁场模型中设置多个探测点，获得所述集成隔离芯片的电磁辐射强度仿真结果，其中，所述共模电流被确定为所述集成隔离芯片的主要辐射源； 获取所述集成隔离芯片的电磁辐射强度测量结果，比对所述电磁辐射强度仿真结果和所述电磁辐射强度测量结果获得第二比对结果，基于根据所述第二比对结果和预设仿测误差阈值所确定的调整方案调整所述第二电磁场模型，将调整好的第二电磁场模型作为所述集成隔离芯片的电磁辐射强度预测模型。

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