安徽大学徐祖雨获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411490292.1，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法是由徐祖雨;章敏;潘志勇;曹寿伟;朱云来;吴祖恒;代月花设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法，属于电子器件制造技术领域；一种原位真空制备系统包括手套箱，手套箱的一侧连接有真空集联管道，真空集联管道中分别能进行：绝缘材料热蒸发、金属材料热蒸发、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电子束蒸发以及磁控溅射；所述绝缘材料蒸发和电子束蒸发均采用：电子束蒸发设备；所述金属材料热蒸发和磁控溅射均采用：磁控溅射设备；反应离子刻蚀采用：反应离子刻蚀设备；离子束刻蚀采用：离子束刻蚀设备忆阻器制备过程中的材料沉积和电极制作均在原位真空制备系统中进行，避免了材料污染和界面缺陷，显著提高忆阻器的性能，并简化了制备工艺。
本发明授权一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，对硅衬底进行超声清洗，然后放入原位真空制备系统中，利用磁控溅射设备在衬底上依次制备底电极、阻变层以及顶电极； S2，对顶电极进行光刻，控制所需要的部分，并对顶电极进行蚀刻，去除多余的顶电极材料； S3，对器件顶部进行光刻、二氧化硅沉积，并对多余部分进行剥离； S4，对器件顶部进行光刻来控制电极沉积区域，并进行离子洗，然后沉积Ag作为顶部电极，最后剥离多余的部分； 所述顶电极与所述阻变层直接接触； 所述顶电极材料为Ag，阻变层材料为。
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