意法半导体股份有限公司R·维拉获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和相应的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117012652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310478688.3，技术领域涉及：H10W40/00；该发明授权制造半导体器件的方法和相应的半导体器件是由R·维拉设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和相应的半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及制造半导体器件的方法和相应的半导体器件。半导体芯片或管芯设置在诸如引线框的衬底的导热管芯焊盘的第一表面上。将绝缘材料的封装模制到具有布置在第一表面上的半导体管芯的管芯焊盘上。在管芯衬焊盘的与第一表面相对的第二表面处，封装在管芯衬焊盘上在围绕管芯衬焊盘的边界线处接界。例如通过激光烧蚀在管芯焊盘周围的边界线处提供封装的凹陷部分。诸如金属材料的导热材料填充在管芯焊盘周围的封装的凹陷部分中。通过在封装的凹陷部分中填充导热材料来增大导热管芯焊盘的表面区域，从而改善器件的热性能。
本发明授权制造半导体器件的方法和相应的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 将半导体集成电路管芯布置在衬底的导热管芯焊盘的第一表面上，所述导热管芯焊盘具有与所述第一表面相对的第二表面； 将绝缘材料的封装模制到所述导热管芯焊盘上，其中，在所述导热管芯焊盘的所述第二表面处，所述封装在围绕所述导热管芯焊盘的边界线处与所述导热管芯焊盘接界； 在围绕所述导热管芯焊盘的所述边界线处提供围绕所述导热管芯焊盘的所述封装的凹陷部分；以及 在所述封装的所述凹陷部分中填充导热材料； 其中在所述第二表面处的所述导热管芯焊盘的表面区域由所述封装的所述凹陷部分中的导热材料增大。
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