安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116780339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310631210.X，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种半导体激光元件是由李水清;王星河;陈婉君;张会康;黄军;胡志勇;蔡鑫;刘紫涵设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体激光元件，包括从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层；所述上波导层与电子阻挡层之间设置有拓扑狄拉克电子点层，以及所述电子阻挡层与上限制层之间设置有拓扑狄拉克电子点层。所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为3≥m≥1；阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN的任意一种或任意组合，厚度为10～80埃米；垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN的任意一种或任意组合，厚度为10～120埃米。本发明提供的一种半导体激光元件，通过设置的拓扑狄拉克电子点层的笼目晶格结构可产生电子与电子间的非局域效应，抑制电荷密度波和量子限制斯塔克Stark效应。
本发明授权一种半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层；其特征在于，所述上波导层与电子阻挡层之间设置有拓扑狄拉克电子点层，以及所述电子阻挡层与上限制层之间设置有拓扑狄拉克电子点层；所述拓扑狄拉克电子点层为CsV3Sb5@BAs、KV3Sb5@BAs、RbV3Sb5@BAs、LaFe4Sb12@BAs、AsP@MoS2、PbSe@MoS2的任意一种或任意组合，所述拓扑狄拉克电子点层的结构为二维笼目超晶格。
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