中南大学张福勤获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1-xS晶体材料的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116497432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310277288.6，技术领域涉及：C30B7/10；该发明授权一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1-xS晶体材料的制备方法与应用是由张福勤;丰雪帆;吕波设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1-xS晶体材料的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1‑xS晶体材料的制备方法与应用。本发明首次采用通入碱性氨类气体在ZnxCd1‑xS晶体材料中选择性地在Zn元素周围配位硫间质，制得Zn位配位硫间质的ZnxCd1‑xS晶体材料。本发明制得的ZnxCd1‑xS晶体材料，由于其独特的配位结构和组成，具有高效反应活性，能够作为高效光催化产氢光催化剂。本发明的制备方法简单可控、成本低廉、原料易得，适合于规模化生产。
本发明授权一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1-xS晶体材料的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1-xS晶体材料的制备方法，包括如下步骤：将二水醋酸锌、四水硝酸镉加入乙二胺的水溶液中，再加入硫脲，充分搅拌，得到混合液，将混合液在高压恒压条件下反应，在反应过程中通入碱性氨类气体，保持恒压，直至反应结束后，冷却至室温，过滤、洗涤干燥，得到Zn配位硫间质的ZnxCd1-xS晶体材料； 所述ZnCH3COO2·2H2O与CdNO32·4H2O的摩尔比为1~10:1；所述乙二胺的水溶液中，乙二胺的质量浓度为30%~90%；所述CdNO32·4H2O与硫脲的摩尔比为0.01~0.05:1； 所述碱性氨类气体与乙二胺的摩尔比为0.03~1.0：1.0； 所述反应温度为90~200℃，反应时间为31~40h，高压恒压压力为0.2~0.4MPa； 所述通入碱性氨类气体为：将混合液在高压恒压条件下反应2~10h后再通入所述碱性氨类气体。
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