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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种SRAM灵敏放大器抗翻转冗余结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116488592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310631819.7，技术领域涉及：H03F1/52；该发明授权一种SRAM灵敏放大器抗翻转冗余结构是由徐映嵩;吴晨烨;陈灿灿;宋晓亮设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SRAM灵敏放大器抗翻转冗余结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种SRAM灵敏放大器抗翻转冗余结构，属于集成电路领域，包括两个结构一样的灵敏放大器和一个数字状态机。每个灵敏放大器分别包括一个主体放大结构和一个冗余电路；主体放大结构实现差分信号的比较并将差分信号放大，冗余电路与主体放大结构相连接；数字状态机用以判断灵敏放大器的工作状态，并输出控制信号控制两个冗余电路是否介入，实现将差分信号进行反向或同向的放大。本发明在原有的SA电路基础上增加一个附属结构，利用判断机制，确认SA在初始模式下是否发生反转，如果发生反转，则采用冗余结构，将SA输出数据进行再次反转，最终将进行两次反转后，实现本级SA的输出结果正常，并且并不影响其他SA的工作状态。

本发明授权一种SRAM灵敏放大器抗翻转冗余结构在权利要求书中公布了：1.一种SRAM灵敏放大器抗翻转冗余结构，其特征在于，包括： 两个结构一样的灵敏放大器，第二级灵敏放大器的两个输入端连接第一级灵敏放大器的输出端；每个灵敏放大器分别包括一个主体放大结构和一个冗余电路；主体放大结构实现差分信号的比较并将差分信号放大，冗余电路与主体放大结构相连接； 一个数字状态机，用以判断灵敏放大器的工作状态，并输出控制信号控制两个冗余电路是否介入，实现将差分信号进行反向或同向的放大； 所述灵敏放大器包括PMOS管MP1~MP2、NMOS管MN1~MN9； PMOS管MP1和MP2的栅极均接低电平GS，源极均接高电平VS，漏极分别连接NMOS管MN5和MN6的漏极，PMOS管MP1和MP2的漏极分别连接PMOS管MP3的源极和漏极；NMOS管MN5和MN6的栅极分别连接输入正端IP和输入负端IN，源极分别连接NMOS管MN3和MN4的漏极；NMOS管MN5和MN6的源极分别连接PMOS管MP4的源极和漏极；PMOS管MP3的栅极接信号Equal，PMOS管MP4的栅极接信号AMP_Start；PMOS管MP1和MP2的漏极作为灵敏放大器的输出端； NMOS管MN3的漏极同时接NMOS管MN1的漏极、NMOS管MN4的栅极；NMOS管MN4的漏极同时接NMOS管MN2的漏极、NMOS管MN3的栅极；NMOS管MN3和MN4的源极同时接NMOS管MN8的漏极； NMOS管MN1的栅极接自身漏极，源极接NMOS管MN7的漏极；NMOS管MN2的栅极接自身漏极，源极接NMOS管MN9的漏极；NMOS管MN7和MN9的栅极均接信号Re.Ctrl，NMOS管MN8的栅极接信号AMP_Start；NMOS管MN7~MN9的源极均接低电平GS；PMOS管MP1和MP2的栅极接低电平，实现阻性负载特性，NMOS管MN5和MN6构成两个输入差分对结构，其下部为NMOS管MN3和MN4构成的交叉耦合结构，通过正反馈提供小信号增益，并且在大信号区域提供更快的输出；两侧的NMOS管MN1和MN2是冗余电路结构，通过信号Re.Ctrl将其开启，实现将输出逻辑反相的目的。

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