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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310151217.1，技术领域涉及：H10P52/40；该发明授权基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法是由李伯昌;刘艳;杨学峰;张嘉豪;韩根全;郝跃设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法在说明书摘要公布了：基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法，将待抛光的氧化镓衬底固定于透光背膜上进行化学机械抛光，在所述化学机械抛光的过程中，利用波长λ250nm的紫外光照射所述氧化镓衬底，以激发生成电子空穴对，所述电子空穴对集聚在氧化镓表面，并在空穴的作用下使得氧化镓发生氧化分解反应。本发明解决了抛光时间过长、抛光过程中易发生解理的问题，并可进一步降低表面粗糙度。

本发明授权基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法在权利要求书中公布了：1.基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法，其特征在于，将待抛光的氧化镓衬底固定于透光背膜上进行化学机械抛光，在所述化学机械抛光的过程中，利用波长λ250nm的紫外光照射所述氧化镓衬底，以激发生成电子空穴对，所述电子空穴对集聚在氧化镓衬底表面，并在空穴的作用下使得氧化镓发生氧化分解反应； 所述化学机械抛光依次包括粗抛和细抛；所述粗抛采用碱性抛光液；所述细抛采用酸性抛光液；所述碱性抛光液中的磨料的粒径大于所述酸性抛光液中的磨料的粒径； 所述粗抛，过程如下： 将所述碱性抛光液加热至90~95℃； 待所述碱性抛光液将氧化镓衬底和抛光垫充分浸润后，抛光盘对氧化镓衬底加载压力，抛光盘加载压力为40~60gcm2，转速为50~60rmin，抛光时间2~4h，然后清洗掉所述碱性抛光液； 所述细抛，过程如下： 将所述酸性抛光液加热至90~95℃； 待所述酸性抛光液将氧化镓衬底和抛光垫充分浸润后，抛光盘对氧化镓衬底加载压力，抛光盘加载压力为20~40gcm2，转速为40~50rmin，抛光时间1~2h，然后清洗掉所述酸性抛光液； 所述粗抛，过程中紫外光的波长λ为220~250nm，能量密度为300~400μWcm2，照射频率为2~2.5kHz；所述细抛，紫外光的波长λ为240~250nm，能量密度100~200μWcm2，照射频率为1~1.5kHz。

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