福建省晋华集成电路有限公司颜逸飞获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310220282.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由颜逸飞设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底、多条字线、电介质层以及多条位线。衬底包括有源结构与浅沟渠隔离，字线埋设在衬底内并分别与有源结构、浅沟渠隔离交错。电介质层设置在衬底上，覆盖字线的顶面。位线朝着第一方向延伸在衬底上，其中，位线包括同时重叠于有源结构与浅沟渠隔离、且底面仅物理性接触电介质层的至少一第一位线，与下方设置穿过电介质层并直接接触有源结构的多个位线插塞的多条第二位线。通过设置第一位线作为虚设位线，以在光刻制作工艺进行时维持整体相同的光通量，并提升半导体器件的制作良率。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，包括有源结构与浅沟渠隔离； 多条字线，沿第三方向延伸，埋设在所述衬底内并分别与所述有源结构、所述浅沟渠隔离交错； 电介质层，设置在所述衬底上，覆盖所述字线的顶面；以及 多条位线，朝着第二方向延伸在所述衬底上，所述第二方向与所述第三方向互相垂直，其中，所述位线包括至少一第一位线与设置在所述第一位线一侧的多条第二位线，所述第一位线同时重叠于所述有源结构与所述浅沟渠隔离，所述第一位线的底面仅物理性接触所述电介质层且不电性连接所述有源结构，各所述第二位线下方设置有穿过所述电介质层并直接接触所述有源结构的多个位线插塞； 还包括： 多个存储节点插塞，设置在所述衬底上并与各所述位线交替排列；以及 至少一第三位线，位于所述第一位线与所述第二位线之间，其中，所述第三位线下方设置有直接接触所述存储节点插塞的至少一位线插塞。
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