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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288707B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210931167.4，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法是由李明达;李杨;郭宝琛;朱建国;赵聪;秦涛设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法，通过综合设计硅外延片所用硅衬底片放置区域的径向温度梯度差值、硅外延层生长温度、硅外延层生长前的排空时间、硅外延层生长速率、石墨基座的平整度和硅外延层生长时的石墨基座的旋转速度等参数，在工艺简单、可批量重复的情况下提高了大尺寸厚膜硅外延片的晶体质量，避免了硅外延片边缘崩边、裂片、碎片的问题，可应用于直径150~200mm，硅外延层厚度高于100μm的大尺寸厚膜硅外延片的工业化批量生产。

本发明授权一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1、调节多片式硅外延炉反应腔体内的感应加热线圈的高度调节杆，设定感应加热线圈与其上方的水平式圆盘状石墨基座之间的间距，调节石墨基座片坑内放置硅衬底片区域的径向温场，使其温度梯度差值为2~5℃； 步骤2、反应腔体升温至1110~1130℃，通入氯化氢气体对反应腔体以及内部的石墨基座进行刻蚀，去除腔体内的杂质，氯化氢气体流量设定为34~36Lmin，刻蚀时间设定为10~12min； 步骤3、氢气携带气态三氯氢硅进入反应腔体，氢气流量设定为140~160Lmin，三氯氢硅的流量设定为10~16Lmin，在反应腔体内的石墨基座上沉积1~2μm厚度的多晶硅包覆层，沉积时间设定为60~120sec； 步骤4、反应腔体降温至300~350℃，石墨基座的平整度保持为0.3~0.5mm，硅衬底片居中放置于石墨基座的片坑内； 步骤5、反应腔体升温至1050~1060℃，升温时间设定为12~16min，然后保持该温度1~2min，氢气携带气态三氯氢硅进入多片式硅外延炉的排空管路，氢气流量设定为140~160Lmin，三氯氢硅的流量设定为10~13Lmin，爬坡时间设定为30~60sec，在排空管路里的排空时间设定为30~60sec，三氯氢硅和氢气随后进入反应腔体，在硅衬底片的抛光表面上进行硅外延层的生长，形成硅外延片，石墨基座的旋转速率设定为3~4rmin，硅外延层生长速率设定为1.8~2.0μmmin； 步骤6、硅外延层生长完成后，反应腔体降温至300~350℃，降温时间设定为15~20min，将硅外延片从反应腔体内取出放置于载片花篮内，然后等待硅外延片自然降温至50~60℃后从载片花篮取出； 步骤1中所述设定感应加热线圈与其上方的水平式圆盘状石墨基座之间的间距为15~30mm； 所述硅外延层的目标生长厚度高于100μm； 所述多片式硅外延炉的反应腔体在硅外延层生长过程中的加热功率设定为80~84KW，反应腔体压力保持为-1.3~-1.7mbar。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华(天津)半导体材料有限公司，其通讯地址为：300220 天津市河西区洞庭路26号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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