圣邦微电子(北京)股份有限公司王野获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种实现高压电流检测的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116263468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111532517.1，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种实现高压电流检测的结构是由王野;于翔;谢程益设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现高压电流检测的结构在说明书摘要公布了：一种实现高压电流检测的结构，通过设置主输入对和辅助输入对与输出级NMOS管的连接，避免了因设置检测电路的电流而引入固有失调以致高压电流检测精度降低，有利于提高检测高压电流的精度和减少检测电路中的高压管使用数量。
本发明授权一种实现高压电流检测的结构在权利要求书中公布了：1.一种实现高压电流检测的结构，其特征在于，包括第一PMOS管和第二PMOS管形成的主输入对，所述第一PMOS管和第二PMOS管源极互连后接入第一电流源，所述第一PMOS管的栅极连接高压通路上的第一电压节点，所述第二PMOS管的栅极连接高压通路上的第二电压节点，高压电流从所述第一电压节点经过第一电阻流向所述第二电压节点，所述第一PMOS管的漏极作为第四电压节点第一路连接运算放大器的负向输入端，第二路通过第二电阻接地，第三路连接辅助输入对，所述第二PMOS管的漏极作为第五电压节点第一路连接所述运算放大器的正向输入端，第二路通过第四电阻接地，第三路连接所述辅助输入对，所述运算放大器的输出端连接输出级NMOS管的栅极，所述输出级NMOS管的源极作为第三电压节点第一路连接所述辅助输入对，第二路通过第三电阻接地，所述输出级NMOS管的漏极形成输出端电流； 所述辅助输入对包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述第三PMOS管和第四PMOS管源极互连后接入第二电流源，所述第三PMOS管的栅极连接所述第三电压节点，所述第四PMOS管的栅极接地，所述第三PMOS管的漏极连接所述第五电压节点，所述第四PMOS管的漏极连接所述第四电压节点。
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