湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种多级沟槽多沟道集成肖特基二极管的MISFET及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310188232.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种多级沟槽多沟道集成肖特基二极管的MISFET及制作方法是由袁俊;徐东;郭飞;王宽;彭若诗;魏强民;黄俊;杨冰;吴畅设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多级沟槽多沟道集成肖特基二极管的MISFET及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多级沟槽多沟道集成肖特基二极管的MISFET，包括：氧化镓衬底、漏极、氧化镓外延层、源极；氧化镓外延层上部设有包括M≥2级子沟槽的多级沟槽，第一级子沟槽至第M级子沟槽的开口距离依次缩小；多级沟槽之间和多级沟槽底部的氧化镓外延层内设有高阻区，除第M级子沟槽底部之外的高阻区上设有N型低阻区；第M级子沟槽内集成有肖特基二极管；除第M级之外的子沟槽底部和侧壁沉积有栅介质层，栅介质层表面沉积有栅电极，栅电极与源极之间覆盖有层间介质层。本发明降低了器件表面处的电场、减小了器件对栅介质材料厚度的依赖性，同时降低了器件正向导通电阻和第三象限导通电阻，提高了氧化镓MISFET器件的耐压性和可靠性。
本发明授权一种多级沟槽多沟道集成肖特基二极管的MISFET及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多级沟槽多沟道集成肖特基二极管的MISFET，其特征在于，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底底侧的漏极，位于所述氧化镓衬底上侧的氧化镓外延层，位于所述氧化镓外延层上方的源极；所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽包括M≥2级子沟槽，第一级子沟槽至第M级子沟槽的开口距离依次缩小，距离沟槽底部越近的沟槽的开口距离越小；所述多级沟槽之间和所述多级沟槽底部的所述氧化镓外延层内设有高阻区，除第M级子沟槽底部之外的所述高阻区上设有N型低阻区；第M级子沟槽内沉积有肖特基金属，形成肖特基二极管；除第M级之外的子沟槽底部和侧壁沉积有栅介质层，所述栅介质层表面沉积有栅电极，所述栅电极与所述源极之间覆盖有层间介质层。
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