上海华力集成电路制造有限公司邹雅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种半导体结构的失效分析方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116242851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310168395.5，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种半导体结构的失效分析方法、装置及电子设备是由邹雅;段淑卿;牛舒帆;高金德设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的失效分析方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的失效分析方法，应用于半导体技术领域。具体的，其针对具有材质为低k介质的薄膜结构的这种半导体样品的某种薄膜失效问题，其通过将现有技术中的常规拍照条件修改为大光圈和CL1聚光镜光阑，同时延长辐照时间的TEM拍图条件，从而可以利用TEM发射的高压辐照能量照射FIB样品时使温度升高，而温度升高则会导致lowk材质的薄膜结构的表面发生收缩产生张力，进而放大薄膜粘附性不佳的薄膜问题，即解决了现有技术中采用的常规拍图条件，而无法发现FIB样品中的薄膜界面上所存在的比较薄弱的薄膜界面的失效问题，从而最终实现提高半导体结构的失效分析效率的目的。
本发明授权一种半导体结构的失效分析方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的失效分析方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一包含有目标区域的FIB样品，所述FIB样品所包含的目标区域中设置有薄膜结构，所述薄膜结构存在薄膜界面失效问题； 采用拍图条件调整后的透射电子显微镜，对所述FIB样品进行图像采集，以得到TEM图像； 从所述TEM图像中找出薄膜界面异常点，并根据该薄膜界面异常点与预设的样品失效背景信息，确定出该FIB样品所包含的所述薄膜界面异常点所对应的失效原因； 所述薄膜结构的材质包括介电常数低于5的低K介质； 所述拍图条件调整后的透射电子显微镜的拍图条件包括：光圈参数范围为：70µm~200µm，第一聚光镜的光阑模式为聚光镜光阑模式，辐照时间范围为：2min~5min。
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