买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司申请的专利侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211726694.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件是由刘辉;朱阳军;吴凯;张广银;徐真逸;杨飞;任雨设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件。其包括：在所述SiC衬底内制备得到所需的沟槽；在上述沟槽内填充沟槽保护掩膜，对SiC衬底正主面上的沟槽保护掩膜选择性地掩蔽和刻蚀，以得到位于沟槽一外侧的倾斜侧壁刻蚀窗口；将上述SiC衬底倾斜置于斜面体上，利用倾斜侧壁刻蚀窗口对SiC衬底的正主面进行干法刻蚀，以在刻蚀后得到形成所述沟槽的倾斜侧壁，去除上述的沟槽保护掩膜，其中，对去除沟槽保护掩膜后的沟槽，所述沟槽由沟槽保护膜保护的一侧壁呈垂直面，所述沟槽的另一侧壁为上述的倾斜侧壁。本发明在SiC衬底上，能有效制备侧壁单侧倾斜的沟槽，提高SiC器件的沟道迁移率，与现有工艺兼容。

本发明授权侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法，其特征是，所述沟槽形成方法包括： 提供SiC衬底，并在所述SiC衬底的正主面进行沟槽刻蚀，以在所述SiC衬底内制备得到所需的沟槽； 在上述沟槽内填充沟槽保护掩膜，其中，填充在沟槽内的沟槽保护掩膜还覆盖于SiC衬底的正主面； 对SiC衬底正主面上的沟槽保护掩膜选择性地掩蔽和刻蚀，以得到位于沟槽一外侧的倾斜侧壁刻蚀窗口，其中，利用倾斜侧壁刻蚀窗口使得与所述倾斜侧壁刻蚀窗口正对应的SiC衬底正主面露出，且倾斜侧壁刻蚀窗口邻近沟槽的边缘与所邻近沟槽的一侧壁正对应； 将上述SiC衬底倾斜置于斜面体上，利用倾斜侧壁刻蚀窗口对SiC衬底的正主面进行干法刻蚀，以在刻蚀后得到形成所述沟槽的倾斜侧壁，其中，所述倾斜侧壁落在SiC衬底的｛0-33-8｝面，所述倾斜侧壁的一端连接沟槽的槽底，倾斜侧壁的另一端连接SiC衬底的正主面； 去除上述的沟槽保护掩膜，其中，对去除沟槽保护掩膜后的沟槽，所述沟槽由沟槽保护膜保护的一侧壁呈垂直面，所述沟槽的另一侧壁为上述的倾斜侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。