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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种铁磁绝缘SrFeO2.0薄膜在Si基衬底上的转移方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116171099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310170271.0，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种铁磁绝缘SrFeO2.0薄膜在Si基衬底上的转移方法及应用是由黄传威;陈光正;仪亚卓设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁磁绝缘SrFeO2.0薄膜在Si基衬底上的转移方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁磁绝缘SrFeO2.0薄膜在Si基衬底上的转移方法及应用，涉及材料技术应用领域，包括以下步骤：在YAlO3单晶衬底上制备Sr3Al2O6薄膜作为牺牲层；在Sr3Al2O6YAlO3异质结的表面制备SrFeO2.0薄膜，SrFeO2.0薄膜的厚度为2‑50nm；将SrFeO2.0Sr3Al2O6YAlO3异质结上黏附聚合物薄片，置于去离子水溶液中；将SrFeO2.0聚合物薄片异质结上黏附Si基半导体基片，置于丙酮溶液中，得到SrFeO2.0Si异质结。本发明通过引入水溶性牺牲层，实现SrFeO2.0薄膜与原来刚性衬底之间的剥离，转移至其他柔性或Si衬底。

本发明授权一种铁磁绝缘SrFeO2.0薄膜在Si基衬底上的转移方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种铁磁绝缘SrFeO2.0薄膜在Si基衬底上的转移方法，其特征在于，包括以下步骤： 1用脉冲激光沉积技术在YAlO3单晶衬底上制备水溶性的Sr3Al2O6薄膜作为牺牲层，得到Sr3Al2O6YAlO3异质结；所述的Sr3Al2O6薄膜的厚度为2-15nm； 2在Sr3Al2O6YAlO3异质结的Sr3Al2O6面制备SrFeO2.0薄膜，得到SrFeO2.0Sr3Al2O6YAlO3异质结；所述的SrFeO2.0薄膜的厚度为2-50nm； 3将SrFeO2.0Sr3Al2O6YAlO3异质结的SrFeO2.0面黏附于聚合物薄片上，置于去离子水溶液中浸泡，溶解Sr3Al2O6薄膜，实现SrFeO2.0薄膜与YAlO3单晶衬底分离，得到SrFeO2.0聚合物薄片异质结；所述的聚合物薄片为PET、PDMS中的一种； 4将步骤3制得的SrFeO2.0聚合物薄片异质结的SrFeO2.0面黏附于Si基半导体基片上，置于丙酮溶液中浸泡，除去聚合物薄片，实现SrFeO2.0薄膜在Si基半导体基片上的转移，得到SrFeO2.0Si异质结； 步骤3中，SrFeO2.0薄膜与YAlO3单晶衬底分离后与其在SrFeO2.0Sr3Al2O6YAlO3异质结中SrFeO2.0的结构相相同； 步骤2中，还包括制备LaAlO3保护层的步骤；所述的制备LaAlO3保护层的步骤具体为：在SrFeO2.0薄膜的上表面和下表面制备LaAlO3保护层，制备温度为550-650℃，沉积氧压为1.0×10-6Pa；所述的LaAlO3保护层的厚度为≤3.0nm。

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