西安电子科技大学芜湖研究院黄永获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种肖特基二极管的制备方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310036801.2，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种肖特基二极管的制备方法及器件是由黄永;王亦飞;王东;陈兴;吴勇;杨旭豪;龚子刚;薛荣宇;台运涛;邵语嫣设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基二极管的制备方法及器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一生长台阶处的P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，离子注入区贯穿P型埋层并延伸至第一生长台阶外；分别在第一生长台阶和第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。本发明中的方法，能够制备得到反向耐压值较高，漏电电流较低，且其结构简，内部各个结构层的结晶质量较高的肖特基二极管。
本发明授权一种肖特基二极管的制备方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底上生长半导体结构层；所述半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层； 刻蚀所述半导体结构层，以在其两端分别形成到达所述P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶； 在所述第一生长台阶处的所述P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，所述离子注入区贯穿所述P型埋层并延伸至所述第一生长台阶外； 分别在所述第一生长台阶和所述第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。
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