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龙图腾网获悉强茂股份有限公司申请的专利形成功率半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111615422.6，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权形成功率半导体装置的方法是由禹相秀;李相龙设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成功率半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种形成功率半导体装置的方法，该方法包含步骤为：提供半导体基板，半导体基板具有主动区及环绕主动区的截止区。将外延层设置于半导体基板上，在外延层进行刻蚀程序以形成第一沟槽及第二沟槽，第一沟槽设置在主动区，第二沟槽设置在截止区。第二沟槽的第二沟槽宽度小于第一沟槽的第一沟槽宽度。进行氧化程序以形成介电结构，介电结构具有设置于第一沟槽的第一介电层及完全覆盖第二沟槽的沟槽区域的介电区域。

本发明授权形成功率半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成功率半导体装置的方法，其特征在于，包含： 提供半导体基板，所述半导体基板具有主动区及环绕所述主动区的截止区； 设置外延层于所述半导体基板上； 刻蚀所述外延层以形成第一沟槽及第二沟槽，所述第一沟槽设置于所述主动区及位于所述主动区与所述截止区之间的接面区，所述第二沟槽设置于所述截止区，其中所述第二沟槽的第二沟槽宽度小于所述第一沟槽的第一沟槽宽度，且所述第二沟槽的第二沟槽深度小于所述第一沟槽的第一沟槽深度； 进行氧化程序以形成介电结构，所述介电结构具有设置于所述第一沟槽的第一介电层以及围绕所述主动区的介电区域，且所述第二沟槽的沟槽区域由介电材料填满而完全覆盖以形成所述介电区域，而所述介电区域的深度是依据所述第二沟槽深度而小于所述第一沟槽深度，其中所述介电材料包含二氧化硅，且设置于所述接面区的所述第一沟槽与相邻的所述第二沟槽之间的所述外延层被完全氧化成所述介电区域，且在所述介电区域的底部具有图案形状，所述图案形状对应于所述第二沟槽的底部形状； 进行沉积程序以于沟槽空间中设置屏蔽电极，所述沟槽空间由在所述主动区和所述接面区的所述第一沟槽中的所述第一介电层形成； 刻蚀在所述主动区的所述屏蔽电极以制造形成栅极电极的空间； 进行氧化沉积以形成覆盖所述屏蔽电极和所述沟槽空间的第二介电层； 刻蚀在所述主动区的所述第二介电层以进一步制造所述形成栅极电极的空间； 进行沉积程序来填充在所述主动区的所述第一沟槽上的所述形成栅极电极的空间以设置栅极电极； 在所述栅极电极之间形成掺杂区； 进行氧化沉积以形成覆盖所述主动区及所述截止区的第三介电层；以及 于所述第三介电层上形成金属层，所述金属层通过接触孔洞接触所述掺杂区。

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