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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310046115.3，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法是由曹启鹏;付博;王卉设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法。由于该测试结构中，将沿X方向和或Y方向上的同一行或同一列中的共享金属插塞表面上的第三子金属线串接，然后，在将串接后的多行或多列第一子金属线的末端串接作为第一测试链假设为奇数行或奇数列的M2，之后，利用同样的方法，将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的与所述第三子金属线间隔开的第四子金属线串接相对于第一测试链，则是偶数行或偶数列的M2，以形成第二测试链，之后通过测试第一测试链和第二测试链，即奇数行的第二层金属线和偶数行的第二层金属线之间是否存在电流的方式，便可确定出共享金属插塞与其临近的正常金属插塞表面上的金属层M1是否短接。

本发明授权半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件隔离结构； 多个共享金属插塞，位于所述器件隔离结构上，而每一所述共享金属插塞均用于等效SRAM器件中的将一MOS管的源极或漏极和另一MOS管的栅极电连接的导电插塞； 第一层金属线，包括多个第一子金属线和多个第二子金属线，一所述第一子金属线覆盖在一所述共享金属插塞的表面上，并与该共享金属插塞电连接，而多个所述第二子金属线则分别位于相邻两个所述第一子金属线之间，即与所述多个第一子金属线间隔排列； 第二层金属线，包括多个第三子金属线和多个第四子金属线，一所述第三子金属线覆盖在一所述第一子金属线的表面上，而一所述第四子金属线则覆盖在一所述第二子金属线的表面上，将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的第三子金属线串接，以形成第一测试链，并将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的第四子金属线串接，以形成第二测试链。

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