华为数字能源技术有限公司彭泽滔获国家专利权
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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利一种外延设备及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111234706.0，技术领域涉及：H10P14/22；该发明授权一种外延设备及半导体器件是由彭泽滔;罗睿宏;陈智斌;万玉喜设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延设备及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种外延设备及半导体器件，该外延设备包括：外延工艺反应腔和第一激光控制系统。外延工艺反应腔内设有用于承载衬底的托盘，外延工艺反应腔包括第一激光可视窗口。第一激光控制系统用于出射第一激光，并使第一激光穿过第一激光可视窗口后，射向托盘承载的衬底的表面。在外延生长工艺过程中，衬底的表面未被第一激光照射的区域形成第一生长面，第一激光用于干扰外延生长过程，衬底的表面被第一激光照射的区域形成第二生长面，第二生长面的表面形态与第一生长面的表面形态不同，以使形成于第二生长面上的外延层经高温退火后脱落，从而在外延工艺反应腔内形成图形化的外延层，提升半导体器件的电性可靠性。
本发明授权一种外延设备及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种外延设备，其特征在于，包括：外延工艺反应腔和第一激光控制系统； 所述外延工艺反应腔内设有用于承载至少一个衬底的托盘，所述外延工艺反应腔包括第一激光可视窗口； 所述第一激光控制系统用于出射第一激光，并使所述第一激光穿过所述第一激光可视窗口后，射向所述托盘承载的所述衬底的表面；所述第一激光用于干扰外延生长过程； 在外延生长工艺过程中，所述衬底的表面未被所述第一激光照射的区域形成第一生长面，所述衬底的表面被所述第一激光照射的区域形成第二生长面；所述第二生长面的表面形态与所述第一生长面的表面形态不同； 所述第一生长面用于生长第一外延层，所述第二生长面用于生长第二外延层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为数字能源技术有限公司，其通讯地址为：518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香安社区安托山六路33号安托山总部大厦A座研发39层01号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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