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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211513659.8，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑电路及其控制方法是由王兴晟;宋玉洁;马颖昊;缪向水设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑电路及其控制方法，属于微电子器件技术领域，用于对输入的逻辑值P和或逻辑值Q进行逻辑运算；其中，忆阻器M1的输入阻态由逻辑输入Q来决定，输入电压固定为‑V0，忆阻器M2的输入电压固定为V1，字线WL上的输入电压C由逻辑运算类型和逻辑值Q、P决定；源控制端上的输入电压D由逻辑运算类型、逻辑值P以及电压C决定，忆阻器M2的阻态作为计算结果的输出；本发明在逻辑算法上充分利用了1T1R结构中晶体管的开关特性，通过动态的对字线WL和源控制端上的输入电压进行配置，即可将实现完备的布尔逻辑功能的步骤控制到两步，能够以较少的操作步数和固定电路拓扑结构提高非易失布尔逻辑运算效率。

本发明授权一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑运算电路，用于对输入的逻辑值P和或输入的逻辑值Q进行逻辑运算，其特征在于，包括：控制单元、忆阻器M1、忆阻器M2、第一晶体管、第二晶体管和电阻； 所述忆阻器M1的正极与位线BL0相连，负极与所述第一晶体管的漏极端相连；所述忆阻器M2的正极与位线BL1相连，负极与所述第二晶体管的漏极端相连；所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极连接在同一条字线WL上，源极连接在同一条源线SL上；所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极通过所述源线SL引出后与所述电阻的第一端相连，所述电阻的第二端作为源控制端；所述第一晶体管和所述第一晶体管相同；所述忆阻器M1和所述忆阻器M2相同，且初始状态均为高阻态； 所述控制单元用于在进行逻辑运算时，通过所述位线BL0对所述忆阻器M1施加电压-V0，通过所述位线BL1对所述忆阻器M2施加电压V1，在所述字线WL上施加电压C，在所述源控制端上施加电压D，并读取所述忆阻器M2的阻态，即为逻辑运算结果； 其中，当所述逻辑运算电路执行与所述逻辑值Q有关的操作时，所述控制单元还用于在进行逻辑运算之前，将所述忆阻器M1置为所述逻辑值Q所对应的阻态；与所述逻辑值Q有关的操作包括对所述逻辑值P和所述逻辑值Q进行逻辑运算的操作和仅对所述逻辑值Q进行逻辑运算的操作； V0和V1同时满足：Vset2V0Vset，Vset2V1Vset，且V0+VV；Vset为所述忆阻器M或所述忆阻器M由高阻态转变为低阻态的阈值；为所述忆阻器M或所述忆阻器M阈值电压变化波动范围的上限； 所述电压C的取值由所述逻辑运算的类型和逻辑值Q、P决定，所述电压D的取值由所述逻辑运算的类型、所述逻辑值P以及所述电压C决定； 当所述逻辑运算的类型为真逻辑运算时，所述电压C取值为Von，所述电压D取值为0V； 当所述逻辑运算的类型为假逻辑运算时，所述电压C取值为0V，所述电压D取值为0V。

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