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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115983176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511954.X，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法是由王亚杰;王正楠;张昊设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，包括如下步骤：步骤S1，基于现有不同应用电压LDMOS的SPICE模型为基准，提取不同应用电压下的LDMOS的栅漏寄生电容Cgd；步骤S2，基于对LDMOS器件结构和栅漏寄生电容Cgd的分析，将栅漏寄生电容Cgd划分为沟道电容cgdc和覆盖电容cgdov，并构建得到相应的数学拟合公式；步骤S3，基于沟道电容cgdc与覆盖电容cgdov的数学拟合公式得到栅漏寄生电容Cgd的拟合公式，并对步骤S1所获取的数据重新进行拟合以更新栅漏寄生电容Cgd拟合公式的系数，从而建立新的SPICE模型。

本发明授权一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法在权利要求书中公布了：1.一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，包括如下步骤： 步骤S1，基于现有不同应用电压LDMOS的SPICE模型为基准，提取不同应用电压下的LDMOS的栅漏寄生电容Cgd； 步骤S2，基于对LDMOS器件结构和栅漏寄生电容Cgd的分析，将栅漏寄生电容Cgd划分为沟道电容cgdc和覆盖电容cgdov，并构建得到相应的数学拟合公式； 其中，基于现有SPICE模型拟合公式构建的沟道电容cgdc的数学拟合公式为： Cgdc=rnwc*w*count*lclc-rnlc*cvar1_n+cvar2_n*1+tanhvg,d1+cvar3_ncvar4_n， 其中，cvar1_n为第一n型电容系数、cvar2_n为第二n型电容系数、cvar3_n为第三n型电容系数、cvar4_n为第四n型电容系数，rnwc为n型宽度系数，w为器件宽度，count为重复数，lc为器件有效长度，tanh为双曲正切函数，vg,d1为栅漏电压； 其中，构建的覆盖电容cgdov的数学拟合公式为： cgdov=cgdov1*pf+pa-cgdov2*1E-16 其中，cgdov1为第一覆盖电容系数，cgdov2为第二覆盖电容系数，pf为PF区域长度，pa为PA区域长度； 步骤S3，基于沟道电容cgdc与覆盖电容cgdov的数学拟合公式得到栅漏寄生电容Cgd的拟合公式，并对步骤S1所获取的数据重新进行拟合以更新栅漏寄生电容Cgd拟合公式的系数，从而建立新的SPICE模型； 其中，得到新的栅漏寄生电容Cgd的拟合公式为： Cgd=rnwc*w*count*lclc-rnlc*cvar1_n+cvar2_n*1+tanhvg,d1+cvar3_ncvar4_n+cgdov1*pf+pa-cgdov2*1E-16。

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